метод
комбінаційного
розсіяння
світла.
Зараз
розроблено
ефективні
методи дослідження
структури
поверхні. В
них використовується
розповсюдження
в кристалах
світлових
хвиль
з певними значеннями
частоти та
хвильового
вектора. Порівняння
залежності
,
отриманої
з рівнянь Максвела,
з експериментально
отриманою
дисперсією
хвиль, що розповсюджуються
в кристалах
, дає можливість
отримувати
інформацію
про спектр
поверхневих
збуджень середовища.
Вибір
карбіда кремнію
в ролі одного
з матеріалів
для експериментальних
досліджень
обумовлений
перспективою
його використання
в напівпровідниковій
мікроелектроніці.
Дійсно,
прилади на
основі карбіду
кремнію, завдяки
його унікальним
фізико-хімічним
властивостям,
можуть
використовувати
в таких галузях
науки і техніки,
де потрібна
підвищена
надійність,
радіаційна
стійкість,
робота при
високих температурах.
Електрофізичні
властивості
карбіду кремнію
відчутно залежать
від конкретного
політипу. Зараз
відомо понад
200 модифікацій
карбіду кремнію.
Позначення
політипів в
символах Рамсделла
складається
із цифри, що
позначає число
шарів вздовж
осі С, та букви
Н або R в залежності
від типу кристалу
- гексагонального
чи ромбоедричного.
Найбільш
часто зустрічаються
політипи SiC 6H, SiC
15R та
SiC. Вони
являються
хорошими модельними
кристалами
для дослідження
ПП, а також впливу
різних поверхневих
обробок на
властивості
ПП. Окрім цього,
ідеальні кристали
карбіду кремнію
та епітаксіальні
шари SiC на діелектричних
підкладинках
є перспективними
для використання
їх в мікроелектроніці
та в інтегральній
оптиці.
1. Теорія
оптичних констант.
Розповсюдження
пучка променів
в напівпровідниковому
кристалі може
бути описане
розв`язком
рівнянь Максвелла
:
, (1.1)
В другому
рівнянні системи
, на відміну
від діелектриків,
врахована
густина струму
провідності
,
оскільки
більшість
напівпровідників
по електричним
властивостям
ближчі до металів,
ніж до діелектриків.
В
загальному
випадку питома
електропровідність
,
діелектрична
та магнітна
проникності
(відносні величини,
що є функціями
частоти) напівпровідника
є анізотропними
та представляються
тензорами
другого (або
вище) рангів.
Оскільки
,
то:
Але
а
grad(div
),
тому
(1.2)
Аналогічне
рівняння можна
отримати і для
вектора напруженості
магнітного
поля
.
Одним
із можливих
розв`язків
рівняння (1.2) для
вектора напруженості
електричного
поля є
(1.3)
Це
рівняння являє
собою хвилю,
що розповсюджується
в
напрямі z зі
швидкістю v,
-
кутова частота.
Розв`язок (1.3)
задовольняє
(1.2) при умові
(1.4) а
це
задовольняє
комплексному
показнику
заломлення
(1.5)
Враховуючи
те, що квадрат
швидкості
поширення
світла у вакуумі
, а також ту
обставину, що
в оптичному
діапазоні
більшість
напівпровідників
володіють
слабкими магнітними
властивостями,
тобто
співввідношення
між головним
показником
заломлення
n ,
головним показником
поглинання
k, з однієї сторони
та діелектричної
проникності
,
питомої електропровідності
-
з іншої
, приймає вигляд
(1.6)
або
після розділення
дійсної та
уявної частини
,
(1.7)
Тут
-
комплексна
діелектрична
проникність,
в котрій по
аналогії з n i
k,
-
дійсна частина,
а
-
коефіцієнт
при уявній
частині. Спираючись
на умову причинності
можна записати
формули,
що пов`язують
n i k одне
з одним :
З першої
формули n можна
підрахувати
для будь-якої
частоти
в інтервалі
від нуля
до нескінченності,
а значить на
основі спектру
поглинання
може бути
підрахований
спектр показника
заломлення
і навпаки. Подібним
чином можуть
бути записані
співвідношення,
які пов`язують
та
(1.8)
. (1.9)
Це
співвідношення
Крамерса-Кроніга.
Тепер,
підставивши
(1.4) та (1.5) в
(1.3), знайдемо
,
тут видно, що
головний показник
поглинання
k характеризує
затухання
електромагнітної
хвилі в напівпровіднику.
Оскільки енергія
хвилі пропорційна
квадрату амплітуди
, то для характеристики
поглинання
речовини часто
застосовують
замість
величину
, (1.10)
це
коефіцієнт
поглинання
, чисельно рівний
оберненій
товщині шару
напівпровідника,
в якому інтенсивність
електромагнітної
хвилі зменшується
в e раз.
Крім головного
показника
поглинання
,
(1.11)
рівного
по величині
, згідно формули
(1.5) , уявній частині
комплексного
показника
заломлення
,
при деяких
механізмах
взаємодії
електромагнітної
хвилі і речовини
можуть виникати
особливі енергетичні
витрати , котрі
виражають
формулою
,
(1.12)
2. Що
таке “поверхневий
поляритон”.
Термін
“поляритон”
був введений
у 1957 р. Хапфілдом
для позначення
нормальної
хвилі в кристалі.
Пізніше Агранович
використав
його як скорочений
еквівалент
терміна “нормальна
електромагнітна
хвиля в середовищі”,
тобто плоска
монохроматична
електромагнітна
хвиля в нескінченному
кристалі, що
задовольняє
макроскопічним
рівнянням
Максвелла.
На
практиці термін
“поляритон”
найбільш часто
використовують,
коли частота
електромагнітної
хвилі попадає
в окіл дипольно
активного
переходу в
кристалі. В
цьому випадку
взаємодія
електромагнітного
поля з вказаним
конкретним
переходом є
досить ярко
вираженою і
це призводить
до “змішування”
взаємодіючих
підсистем -
електромагнітної
та “механічної”
(коливання
електронів
або ядер).
Можна
також говорити
про поляритони
у випадку не
тільки кристалів,
але й рідин і
навіть
газів,
одначе характерні
прояви ефектів
змішування
з індивідуальними
дипольно активними
переходами
тут спостерігати
складніше (
врідинах внаслідок
великого затухання,
в газах - відносно
малої
концентрації
частинок речовини
та ін.). Далі,
говорячи
про
середовище,
з яким зв`язано
збудження
поляритонів
, будемо
мати на увазі
кристалічне
середовище
(монокристал).
При квантовому
описанні
термін
“поляритон”
відносять
частіше всього
не до самої
електромагнітної
хвилі , а
до
відповідної
квазічастинки
- кванту
електромагнітного
поля в середовищі.
У випадку
обмеженого
кристала виникає
можливість
існування
електромагнітних
хвиль іншого
типу - бежучих
по поверхні
, що не заглиблюються
в кристал і є
ніби “прив`язаними”
до поверхні.
Такіхвилі
логічно назвати
“поверхневими”
на противагу
“об`ємним”, що
існують у глибині
кристала і не
відчувають
впливу його
поверхні.
Відсутність
ефекту розповсюдження
та розпливання,
дифракції у
напрямку,
нормальному
до поверхні
кристала,
автоматично
викликає за
собою затухання
поля вздовж
нормалі вглиб
кристала. В
цьому також
проявляється
поверхневий
характер хвилі
.
Однією
з найважливіших
характеристик
хвильового
процесу є залежність
швидкості
розповсюдження
від довжини
хвилі
,
тобто
їх дисперсія.
Оскільки
,
де
- кругова частота
коливань, що
розпосюджуються
в даному хвильовому
процесі , а
-
довжина хвильового
вектора
, дисперсія
хвиль еквівалентна
взаємозв`язку
величин
і k. Цей взаємозв`язок
називають
законом дисперсії
для даної хвилі.
Отже,
поверхневий
поляритон є
нормальною
поверхневою
електромагнітною
хвилею в кристалі.
Термін “нормальна”
означає , що
хвиля задовольняє
макрорівнянням
Максвелла.
Однак електромагнітне
поле поблизу
границі кристала
повинне задовольняти
також відомим
граничним
умовам, які
зв`язують
компоненти
векторів
поля по обидві
сторони від
границі. Звідси
випливає те,
що поле зовні
кристала, в
середовищі,
що граничить
з кристалом,
також відмінне
від нуля. Поверхневий
характер хвилі
означає відсутність
ефектів розповсюдження
і в напрямі
зовнішньої
по відношенню
до кристалу
нормалі до
його поверхні
і затухання
поля ПП в цьому
напрямі.
Таким
чином, поле ПП
локалізовано
по обидві сторони
від поверхні
кристала і
затухає при
віддаленні
від неї
в
довільну сторону.
Потік енергії
для хвилі ПП
є
тангенціальним
до поверхні
кристала.
3. Метод
порушеного
повного відбивання
(ППВВ)
Дослідження
поверхневих
поляритонів
в напівпровідниках
та діелектриках
проводиться
за допомогою
методів повного
внутрішнього
відбивання
(ППВВ), розсіяння
повільних
електронів
, а також комбінаційного
розсіяння
світла (КРС).
Всі ці методи
засновані на
різних фізичних
явищах та мають
рзну точність.
Тим не менш,
всі вони доповнюють
один одного
та дозволяють
вивчати спектри
поверхневих
хвиль в широкому
інтервалі
довжин хвиль.
При
розповсюдженні
світлової
хвилі з оптично
більш густого
середовища
1 в менш густе
2 (
)
на
межі двох середовищ
виникає явище
повного внутрішнього
відбивання
, якщо кут падіння
, більше
критичного
. Однак при цьому
поле в середовищі
2 не дорівнює
нулю , а є затухаючим
(неоднорідним)
:
,
(3.1)
де
-амплітуда
поля на межі
розподілу;
-
ефективна
глибина проникнення
поля в менш
гуте середовище.
Без урахування
поглинання
величина
визначається
за формулою
,
(3.2)
де
- довжина хвилі
світла в середовищі
1.
З
формули (3.2) легко
бачити, що зі
збільшенням
в залежності
від
глибина проникнення
зменшується
та має порядок
довжини хвилі
. Якщо
при цьому граничне
середовище
є поглинаючим
, то повного
внутрішнього
відбивання
не відбувається
(R<1) та говорять
про порушене
внутрішнє
відбивання
світла.
По
класичним
рівнянням
Френеля можна
розрахувати
величину послаблення
коефіцієнта
відбивання
R, якщо використовувати
для середовища
2 уявний показник
заломлення
. Спектральний
розподіл так
званого контраста
спектра ППВВ=1
R несе інформацію
про оптичне
поглинання
в середовищі
2 , що торкається
призми ППВВ=1
, широко використовується
для дослідження
складу та інших
характеристик
середовищ (
плівок), осаджених
на призму зв`язку.
Метод
ППВВ був вперше
використаний
для дослідження
поверхневих
плазмонів в
металах у 1968 р.
Потім було
звернено увагу
на можливості
використання
цього метода
для вивчення
поверхневих
фононів. Методом
ППВВ експериментально
досліджувались
спектри ПП в
кубічних кристалах.
В однорідних
кристалах
спектри ПП
вивчено лиш
для декількох
орієнтацій
поверхні.
В
нерадіаційній
ділянці спектру
моди поверхневих
коливань в
кристалах
характеризуються
тим, що вони
не взаємодіють
безпосередньо
з падаючим
світлом , бо
їх дисперсійні
криві лежать
в такій області,
де неиожливо
одночасно
виконати закони
збереження
енергії
та імпульса
. Тут
-
частота ПП,
- частота
світла,
-
хвильові вектори
ПП та світла
в площині кристала.
Дійсно, комбінуючи
ці два вирази,
отримаємо
, де
- діелектрична
проникність
зовнішнього
середовища,
а вісь z напрямлена
по нормалі до
поверхні. З
іншого боку
, для нерадіацайних
мод має місце
співвідношення
.
Виконання
останніх двох
умов при
неможливе.
Наведені
вище міркування
показують, що
закони збереження
імпульсу та
енергії, з одного
боку, та вид
дисперсійних
кривих , з іншого,
не протирічать
одне одному
лише в тому
випадку, коли
, тобто
, якщо електромагнітна
хвиля затухає
вздовж вісі
z в просторі
над досліджуваним
кристалом.
Така неоднорідна
хвиля виникає
при повному
внутрішньому
відбиванні
на межі оптично
більш густіших
та менш густіших
середовищ. Ця
хвиля розповсюджується
вздовж границі
розподілу
двох середовищ
в площині падіння
та експоненційно
затухає в напрямі
оптично менш
густого середовища
на відстані
порядку довжини
хвилі. В напрямі
розповсюдження
вздовж границі
розподілу
фазова швидкість
хвилі, що пройшла,
рівна
, де
- кут падіння
світла на границю
розподілу , а
величина відносного
оптичного
показника
заломлення
. На
границі оптично
більш густого
середовища
1 з вакуумом
(середовище
2)
, та при зміні
кута падіння
від критичного
до
змінюється
від c до
, що і лежить
в основі методу
ППВВ.
В
експерименті
вимірювався
коефіцєнт
відбивання
електромагнітної
хвилі, що падає
на поверхню
розподілу двох
середовищ
(призми та зазора),
котра є площиною
повного внутрішнього
відбивання
( рис. 3.1). Наявність
поглинаючого
середовища
(тобто кристала,
в якому вивчався
спектр поверхневих
хвиль) призводить
до зменшення
інтенсивності
відбитого
світла. В зазорі
між призмою
та кристалом
розповсюджується
електромагнітна
хвиля зі зменшеною
фазовою швидкістю
, де
n - показник
заломлення
призми. При
цьому умова
повного внутрішнього
відбивання
порушується
, бо виникає
поглинання
світла , коефіцієнт
відбивання
стає менше 1.
В спектрі
спостерігаються
мінімуми , положення
яких при виконанні
деяких умов
відповідають
частотам поверхневих
поляритонів
,
де
визначається
проекцією
падаючої хвилі
на напрям
розповсюдження
:
, (3.1)
Виміри
дозволяють
зняти дисперсійні
залежності
.
Рис.
3.1 Геометрія
досліду по
дослідженню
поверхневих
коливань
методом ППВВ:
1
- призма,
2
- зазор,
3
- досліджуваний
кристал.
При
цьому падаюча
хвиля поляризована
в площині падіння
(P - поляризація).
Результати
досліджень
показали, що
коли досить
точно відомі
значення частотно
залежної
комплексної
величини
значення поверхневих
частот може
бути передбачене
з досить високою
точністю з
розрахунку.
Поглинання
світла обумовлене
наявністю двох
механізмів
уширення моди
поверхневих
коливань. Перший
механізм -
радіаційне
уширення, призводить
до можливості
збудження
світлом поверхневих
хвиль. Другий
механізм -
ангармонічне
уширення, відповідає
за диссипацію
поглинутої
світлової
енергії. Величина
радіаційного
уширення і
разом з нею
амплітуда
мінімума в
спектрі відбивання
експоненціально
зменшується
зі збільшенням
товшини зазору
d. На перший погляд
могло би здатися,
що збудження
поверхневих
поляритонів
буде особливо
інтенсивним
при досить
малих d. В дійсності
ж при d=0 ці хвилі
взагалі не
збуджуються
.
Тут
треба відмітити,
що розглянутий
метод дослідження
відрізняється
від заичайної
методики ППВВ
лиш