Конструирование
1.0pt; padding:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt;">0,85
1,00
1,8
1,0
1,2
2,3
20
40
70
0,55
0,65
1,45
0,65
0,80
1,75
0,75
0,90
2,0
0,90
1,1
2,5
1,0
1,2
2,3
20
40
70
0,40
0,45
0,50
0,50
0,60
0,75
0,65
0,80
1,00
0,85
1,1
1,5
1,00
1,35
2
20
40
70
0,40
0,42
1,5
0,43
0,50
2
0,45
0,60
3,1
0,55
0,90
6,0
1
1,5
10,00
Колонка 10 заполняется из соответствующей таблицы 2.3. (интенсивность отказов lо для температуры +20°С).
Наименование | Тип | Кол-во | Температура окруж. среды | Фактическое значение параметра | Номинальное значение параметра | Конструктивная характеристика | Κ | α |
λ0·10-6 1/час |
λi= α· λ0·10-6 |
λс= λi·n·10-6 |
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
Транзистор |
КТ315Б |
1 | 40ºС |
РФ=100мВт |
РН=300мВт |
Кремниев | 0,3 | 0,2 | 0,5 | 0,1 | 0,1 |
КТ361Б |
1 |
РФ=100мВт |
РН=300мВт |
0,3 | 0,2 | 0,5 | 0,1 | 0,1 | |||
КТ3102А |
8 |
РФ=100мВт |
РН=300мВт |
0,3 | 0,2 | 0,5 | 0,1 | 0,8 | |||
КТ3107И |
1 |
РФ=100мВт |
РН=300мВт |
0,3 | 0,2 | 0,5 | 0,1 | 0,1 | |||
МП37А |
1 |
РФ=100мВт |
РН=300мВт |
Герман. | 0,3 | 0,2 | 0,5 | 0,1 | 0,1 | ||
Резистор | МЛТ 0,125 | 33 |
РФ=80мВт |
РН=125мВт |
Метал-оксидные | 0,5 | 0,8 | 0,043 | 0,034 | 1,12 | |
Конденсатор | КМ-5Б | 13 |
UФ=9В |
UН=50В |
Керамич. | 0,1 | 0,3 | 0,15 | 0,06 | 0,78 | |
К50-35 | 8 |
UФ=9В |
UН=25В |
Электрол. | 0,3 | 0,5 | 0,5 | 0,25 | 2,0 | ||
Диод | КД522А | 3 |
IПФ=10мA |
IПТ=30мA |
Кремниев |