Линейный усилитель

кОм ±5% 1
R4 МЛТ 0,122 4,7 кОм ±5% 1
R5 МЛТ 0,122 820 Ом ±5% 1
R6 МЛТ 0,122 470 Ом ±5% 1
R7 МЛТ 0,122 200 Ом ±5% 1
R8 МЛТ 0,122 2,2 кОм ±5% 1
R9 МЛТ 0,122 1,5 кОм ±5% 1
R10 МЛТ 0,122 20 Ом ±5% 1
R11 МЛТ 0,122 200 Ом ±5% 1
R12 МЛТ 0,122 200 Ом ±5% 1
R13 МЛТ 0,122 9,1кОм ±5% 1
R14 МЛТ 0,122 2,2 кОм ±5% 1
R15 МЛТ 0,122 200 Ом ±5% 1
R16 МЛТ 0,122 200 Ом ±5% 1

6. Расчет глубины общей отрицательной обратной связи (ООС)

Введение в усилитель цепи ООС позволяет улучшить качественные показатели усилителя: уменьшить нелинейные искажения, увеличить стабильность коэффициента усиления, уменьшить коэффициент отражения и т.д.

1. Определяется глубина ООС по допустимым нелинейным искажениям, для чего определяется величина затухания нелинейности по второй и третьей гармоникам а2г, а3г в зависимости от коэффициента полезного действия выходной цепи оконечного каскада (без обратной связи).

Так как в задании на курсовой проект затухания по второй и третьей гармоникам заданы при выходной мощности усилителя, равной 1 мВт (при нулевом выходном уровне), то затухания нелинейности а2г, а3г следует также привести к нулевому выходному уровню по формулам:

а'2го = а2г + 10 lg* (Pн/1мВт) =30 + 16,5= 46,5 дБ;

а'3го = а3г + 20 lg* (Pн/1мВт) = 34,7 + 33 = 67,8 дБ;

Таблица 3

η	0,36
а2г3	30
а3г	34,7

Для обеспечения заданных величин затухания нелинейности а2г и а3г (с обратной связью) глубина ООС должна удовлетворять условиям:

Аос1≥ а2го - а'2го = 70 –46,5 = 23,5 дБ;

Аос2≥ а3го - а'3го = 85 –67,8 = 17,2 дБ;

где Аос1, Аос2 – глубина ООС в дБ.

2. Определяется глубина ООС, исходя из допустимой нестабильности усиления. Нестабильность усиления каскада без обратной связи вызвана, главным образом, усилительного элемента и определяется опытным путем.

При проектировании усилителя можно принять для одного каскада ∆К/К = 0,15. Так как нестабильность усиления ΔSt (с обратной связью) задана в децибелах, то в относительных единицах:

∆К/К = 100,05 ΔSt - 1 = 100,05*0,8 - 1 = 1,096 – 1 = 0,096

Таким образом, глубина ООС определяется по формуле:

Аос3 ≥ 20 lg = 8,63 дБ;

где N – число каскадов усиления;

∆St – заданная величина нестабильности усиления дБ;

0,15 – средняя нестабильность усиления в усилительном каскаде без обратной связи.

3. Определяется глубина ООС, исходя из допустимого коэффициента отражения. Наличие реактивных элементов во входной и выходной дифференциальных системах обусловливает неравномерность согласования усилителя с внешними цепями по частоте. В усилителе рассматриваемой структуры коэффициент отражение достигает наибольших значений на крайних частотах рабочего диапазона. Таким образом, максимально возможный коэффициент отражения на средней частоте, значение которого должно быть обеспечено при выборе глубины ООС, определяется по формуле:

δср = 0,5δ = 0,5 * 0,09 = 0,045;

где δ – заданный коэффициент отражения на входе и выходе усилителя.

Глубина ООС определяется по формуле:

Аос4 ≥ 20 lg = 20 lg*= 30,5 дБ;

4. Выбирается глубина ООС усилителя. Величину Аос принимается равной наибольшей из полученных четырёх значений Аос1, Аос2, Аос3, Аос4. Выбранное значение А ос4= 30,5 для дальнейших расчетов переводим из децибел в относительные единицы по формуле:

F = 100.05 Аос4 = 100,05*30,5= 33,8;

где F – глубина ООС в относительных единицах.

7. Проверочный расчет коэффициента усиления усилителя по напряжению

Определяется входное сопротивление R вх транзистора первого и второго каскадов, h21э берем равным 10

R вх тр1 = r'б+= 100 + = 1400 Ом;

R вх тр2 = r'б+= 50 + 26*= 967 Ом;

Таблица 4

Номер каскада	h21э min	R вх 1, Ом
1	10	1400
Номер каскада	h21э min	R вх 2, Ом
2	10	967

Определяется сопротивление нагрузки переменному току второго каскада:

R~2 = = =

=== 464 Ом;

где

Rд3 = = = = 1772 Ом;

Определяется коэффициент усиления по напряжению второго каскада:

К 2 = = = 5;

Определяется коэффициент усиления по напряжению первого каскада:

К 1= = = 33,6;

Определяется коэффициент усиления по напряжению усилителя без учета ООС:

К' = К1*К2*К3 = 33,6*5*70 = 11725

Определяется фактический коэффициент усиления по напряжению усилителя с учетом ООС:

Кф = = = 300;

где 1,2 – коэффициент запаса, учитывающий разброс параметров элементов схемы:

F – глубина общей отрицательной обратной связи, в относительных единицах

Сравнивается фактический коэффициент усиления усилителя с заданной величиной S, которую перевели из децибел в относительные единицы: К = 100,05 * S = 100,05 * 40 = 100;

Полученное фактическое значение коэффициента усиления соответствует заданному, т.е. 300 > 100, Кф > К в 3 раз.

Вводим местную ООС во второй каскад. В этом случае сопротивление в цепи эмиттера второго каскада будет состоять из двух последовательно соединенных резисторов R’ и R’.

При введение местной обратной связи в третий каскад

Fм=Fм2+Fм3

где Fм2, Fм3 – глубина местной обратной связи во втором и третьем каскаде.

8. Расчет удлинителя в цепи общей ООС

Определяется коэффициент передачи цеп общей ООС по формуле:

β = = =0,1;

где коэффициент в числителе определяется схемой и параметрами входного и выходного устройства; К – заданный коэффициент усиления по напряжению усилителя, в относительных единицах.

Определяется сопротивления резисторов R10, R7 = R12 Т – образного удлинителя:

R7 = R12 = Rс * = 200*= 198; ≈ 200 Ом;

R10 = Rс*= 200*=19,8 ≈20 Ом;

где Rс – характеристическое сопротивление удлинителя.

9. Заключение по результатам расчетов

Мы выбрали транзистор ГТ312А со структурой типа n-p-n, произвели соответствующие расчеты усилителя и получили ожидаемое усиление.

Число каскадов = 3.

fгр мГц	Рк мах	Uбо3	Iбо3	К3	Rвх 3	R~ 3,=	ηф
44,1	225 мВт	0,42 В	0,22 мА	70	608 Ом	950 Ом	0,36

Сравнив К и заданный К я получила отношение в 3 раза. Поэтому ввёла местную ООС во втором каскаде.

Использованная литература

1. Электронные усилители. Методическая разработка для выполнения контрольных работ, курсового и дипломного проектов для учащихся ВЗТС и заочных отделений техникумов связи. – М.: Радио и связь, 1982.

2. Мурадян А.Г., Разумихин В.М., Творецкий М.С. Усилительные устройства. – М.: Связь, 1976.

3. Цыкина А.В. Усилители. Учебное пособие. – М.: Радио и связь, 1982.

4. Основные правила выполнения схем и графиков. – М.: Связь, 1976.

5. Дипломное проектирование. Методические указания для дипломного проектирования. – М.: Радио и связь, 1983.

6. Л.М. Невдяев. Телекоммуникационные технологии. Москва 2002.