ГУАП
КАФЕДРА № 25
ОТЧЕТ
ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ
ПРЕПОДАВАТЕЛЬ
| должность, уч. степень, звание |
подпись, дата |
инициалы, фамилия |
| ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ |
| ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ |
| по курсу: ЭЛЕКТРОНИКА |
РАБОТУ ВЫПОЛНИЛ
| СТУДЕНТ ГР. |
2941 |
Н.А. Никитин |
| подпись, дата |
инициалы, фамилия |
Санкт-Петербург2011
 Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1 Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.
2 Описание лабораторной установки
Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом приведена на
рисунке
1.
Рисунок 1 – Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора 2П103Б с управляющим р-п переходом и каналом р-типа
Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с изолированным затвором приведена на
рисунке
2.
Рисунок 2 – Схема исследования статистических характеристик
МДП-транзистора 2П301А с индуцированным (обогащённым) каналом р-типа
Напряжения питания подаются с гнёзд источников стабилизированных напряжений Е-1 и Е-2, имеющих собственную цифровую индикацию и плавные регулировки
R
9 и
R
10 выходных напряжений соответственно. Измерения постоянных напряжений и токов в схемах осуществляется с помощью цифровых тестеров серии
MY
6
x
. При этом тестер, используемый для измерения тока, всегда включается последовательно с исследуемым объектом; а тестер, используемый для измерения напряжения, всегда включается параллельно с исследуемым объектом.
 3 Измерительная часть
3.1 Измерение статических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом
Таблица 1 – Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом (КП103Б)
| Uси
, В
|
Ic
, мА
|
| Uзи
=0
|
Uзи
=0,1
|
Uзи
=0,2
|
Uзи
=0,3
|
Uзи
=0,4
|
Uзи
=0,5
|
Uзи
=0,6
|
Uзи
=0,7=Uзи отс
|
| 0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
| -1
|
0,34
|
0,33
|
0,22
|
0,14
|
0,08
|
0,03
|
0,01
|
0
|
| -2
|
0,36
|
0,35
|
0,24
|
0,15
|
0,09
|
0,03
|
0,02
|
0
|
| -3
|
0,38
|
0,36
|
0,25
|
0,15
|
0,1
|
0,03
|
0,02
|
0
|
| -4
|
0,39
|
0,37
|
0,25
|
0,155
|
0,11
|
0,03
|
0,02
|
0
|
| -5
|
0,395
|
0,38
|
0,26
|
0,16
|
0,11
|
0,04
|
0,03
|
0
|
| -6
|
0,4
|
0,385
|
0,26
|
0,16
|
0,12
|
0,04
|
0,03
|
0
|
| -7
|
0,41
|
0,39
|
0,27
|
0,16
|
0,125
|
0,04
|
0,035
|
0
|
| -8
|
0,415
|
0,4
|
0,27
|
0,16
|
0,13
|
0,04
|
0,4
|
0
|
Семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 3.
Семейство управляющих характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 4.
 3.2 Измерение статических характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа
Таблица 2 – Статические характеристики МДП-транзистора (КП301А)
| Uси
, В
|
Ic
, мА
|
Uзи
=Uзи пор
-2,8 В
|
Uзи
=|Uзи пор
|
+0,5 В
|
Uзи
=|Uзи пор
|
+1 В
|
Uзи
=|Uзи пор
|
+1,5 В
|
Uзи
=|Uзи пор
|
+2 В
|
Uзи
=|Uзи пор
|
+2,5 В
|
Uзи
=|Uзи пор
|
+3 В
|
| 0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
| -1
|
0,2
|
0,5
|
0,87
|
1,44
|
1,8
|
2,2
|
2,4
|
| -2
|
0,23
|
0,54
|
1,03
|
1,8
|
2,5
|
3,1
|
4,0
|
| -3
|
0,24
|
0,6
|
1,15
|
1,92
|
2,8
|
3,6
|
4,6
|
| -4
|
0,25
|
0,65
|
1,2
|
2,01
|
2,95
|
3,85
|
5,0
|
| -5
|
0,26
|
0,68
|
1,2
|
2,1
|
3,0
|
4,0
|
5,2
|
| -6
|
0,28
|
0,7
|
1,3
|
2,2
|
3,2
|
4,2
|
5,3
|
| -7
|
0,3
|
0,7
|
1,37
|
2,3
|
3,3
|
4,3
|
5,5
|
| -8
|
0,31
|
0,75
|
1,4
|
2,4
|
3,4
|
4,4
|
5,7
|
Семейство выходных характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 5.
Семейство управляющих характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 6.
 4 Расчётная часть
4.1 Расчёт дифференциальных параметров
полевого транзистора с управляющим р-п переходом
а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора
где  – относительное приращение тока стока;
 - относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора
б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току
где  – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора
 Ом
в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора
4.2 Расчёт дифференциальных параметров
МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа
а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора
где – относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора
б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току
где – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора
 Ом
в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора
 Вывод: в данной лабораторной работе был изучен принцип действия двух типов полевых транзисторов – транзисторов с управляющим р-п переходом и транзисторов с индуцированным каналом р-типа, измерены их статические характеристики и определены основные параметры.
|