Реферат: Темы ов по дисциплине "Технологические процессы микроэлектроники" Очистка поверхности подложек гис (виды загрязнений, способы очистки и контроля)
Название: Темы ов по дисциплине "Технологические процессы микроэлектроники" Очистка поверхности подложек гис (виды загрязнений, способы очистки и контроля) Раздел: Остальные рефераты Тип: реферат |
Темы рефератов по дисциплине "Технологические процессы микроэлектроники" 1. Очистка поверхности подложек ГИС (виды загрязнений, способы очистки и контроля).- 2. Сравнительная характеристика разновидностей процессов ионного нанесения пленок.- 3. Невакуумные методы получения тонких пленок в технологии ИМС.- 4. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs (в т.ч. легированных). 5. Особенности технологических процессов изготовления БИС.- 6. Разновидности методов диффузии (сущность методов, сравнительная характеристика, перспективные направления).- 7. Лучевые методы размерной обработки тонких пленок.- 8. Фото-, электроно- и рентгенорезисты в технологии ИМС.- 9. Фото-, электроно- и рентгеношаблоны, применяемые в технологии ИМС.- 10. Изотропное (жидкостное химическое) и анизотропное (сухое ионное) травление в технологии ИМС.- 11. Современное состояние и перспективы развития фотолитографических процессов в технологии ИМС- 12. Рентгеновская и ионная литография.- 13. Современное состояние и перспективы развития проводниковых и изолирующих паст для изготовления толстопленочных ИМС микросборок. 14. Современное состояние и перспективы развития резистивных паст для изготовления толстопленочных ИМС микросборок.- 15. Современное состояние и перспективы развития многослойной разводки при изготовлении толстопленочных ИМС микросборок. 16. Конструкции подколпачных устройств установок термовакуумного напыления. 17. Сварка термокомпрессией в технологии ИМС и микросборок.- 18. Пайка в технологии ИМС и микросборок.- 19. Лазерная и электронная сварка в технологии ИМС и микросборок.- 20. Технологические процессы герметизации ИМС.- 21. Электронно-лучевые методы формирования элементов ИМС.- 22. Многоуровневая коммутация в технологии полупроводниковых ИМС.- 23. Выращивание эпитаксиальных слоев Si(в т.ч. легированных).. 24. Получение диэлектрических пленок в технологии полупроводниковых ИМС.- 25. Получение диэлектрических пленок в технологии гибридных ИМС.- 26. Танталовая технология изготовления RC-структур. 27. Ионное легирование в технологии полупроводниковых ИМС. 28. Сравнительная характеристика конструкций и методов изготовления резисторов в различных типах ИМС (тонкопленочных, толстопленочных, полупроводниковых). 29. Сравнительная характеристика конструкций и методов изготовления конденсаторов в различных типах ИМС (тонкопленочных, толстопленочных, полупроводниковых). 30. Сравнительная характеристика конструкций и методов изготовления коммутирующих элементов в различных типах ИМС (тонкопленочных, толстопленочных, полупроводниковых). 31. Многоуровневая коммутация в технологии тонкопленочных ИМС и микросборок. 32. Бескорпусная элементная база ГИС и микросборок. |