<< Пред.           стр. 2 (из 7)           След. >>

Список литературы по разделу

  Электрическое поле р-n-перехода разделяет электроны и дырки. Неосновные носители электричества, для которых поле является ускоряющим, выводятся этим полем за переход. Основные носители задерживаются полем в своей области проводимости.
 
 
  Упрощенная структура фотодиода и его условное графическое обозначение
 
  Генерация пар электрон-дырка приводит к увеличению обратного тока диода при наличии обратного напряжения и к появлению напряжения между анодом и катодом при разомкнутой цепи.
  Фотодиоды удобно характеризовать семейством вольт-амперных характеристик, соответствующих различным световым потокам (световой поток измеряется в люменах, лм) или различным освещенностям (освещенность измеряется в люксах, лк).
  Обратимся к вольт-амперным характеристикам (ВАХ) фотодиода. Пусть вначале световой поток равен нулю, тогда ВАХ фотодиода фактически повторяет ВАХ обычного диода. Если световой поток не равен нулю, то фотоны, проникая в область р-n-перехода, вызывают генерацию пар электрон-дырка. Под действием электрического поля р-n-перехода носители электрода движутся к электродам. В результате между электродами возникает напряжение, которое возрастает при увеличении светового потока. При положительном напряжении анод-катод ток диода может быть отрицательным (четвертый квадрант характеристики). При этом прибор не потребляет, а вырабатывает энергию.
 
 
 
  В настоящее время коэффициент полезного действия солнечных элементов достигает 20%. Пока энергия, вырабатываемая солнечными элементами, примерно в 50 раз дороже энергии, получаемой из угля, нефти или урана. Но ожидается, что стоимость энергии, получаемой с помощью солнечных батарей, будет снижаться.
 
  Фотодиоды являются более быстродействующими приборами по сравнению с фоторезисторами. Они работают на частотах 107-1010 Гц. Фотодиод часто используется в оптопарах светодиод-фотодиод.
 
  Термоэлектрогенераторы и термоэлектрохолодильники
  Рассмотрим цепь из p-n-полупроводников. Пусть левые концы образцов n- и p-полупроводника находятся при температуре более высокой, чем правые. В горячей области образуются в большей концентрации электроны и дырки. Путем диффузии они стремятся распространиться по всему объему. В результате горячая часть n-полупроводника зарядится положительно (частично ушли возбужденные электроны), а холодная - отрицательно; в р-полупроводнике горячая часть зарядится отрицательно (частично ушли возникшие дырки), а холодная - положительно.
 
 
 
  В цепи, соединенной последовательно из разных материалов, появляется э. д. с., если места контактов поддерживаются при разных температурах. В этом сущность термоэлектрического эффекта Зеебека, используемого в термоэлектрогенераторах (ТЭГ). При появлении тока в цепи, состоящей из различных проводников, в местах контакта в дополнение к теплоте Джоуля выделяется или поглощается в зависимости от направления тока некоторое количество тепла, пропорциональное прошедшему через контакт количеству электричества:
  Термоэлектрогенераторы применяют для питания радиоаппаратуры. Так же как и термопарный эффект, эффект Пельтье в p-n-переходах проявляется более энергично, чем в металлических парах. Если в лучших устройствах из металлических пар на контактах удавалось получать перепад температур 3-5° С, то в батареях из полупроводниковых p-n-элементов удается его довести до 60-70° С. Эффект используется для охлаждения радиоаппаратуры и ее термостатирования.
  Полупроводниковые термостаты применяют для стабилизации температуры работы пьезокварцев и многих полупроводниковых радио- и вычислительных схем; холодильники - для повышения чувствительности схем с фоторезисторами.
 
  Эффект Холла
  Предположим, что по пластине проводника, имеющей ширину a и толщину b, течет ток плотностью i. Выберем на боковых сторонах пластины точки C и D, разность потенциалов между которыми равна нулю. Если эту пластину поместить в магнитное поле с индукцией B, то между точками C и D возникает разность потенциалов VХ, называемая э. д. с. Холла. В не слишком сильных полях
  Vx = RH Bai
 
  Коэффициент пропорциональности RH называют постоянной Холла. Она имеет размерность L3/Q (L - длина, Q - электрический заряд) и измеряется в кубических метрах на кулон, (м3/Кл). Рассмотрим физическую природу эффекта Холла.
  На электрон, движущийся справа налево со скоростью v, действует сила Лоренца Fл: Fл = qvB
 
 
 
  Под действием силы Лоренца электроны отклоняются к внешней грани пластины, заряжая ее отрицательно. На противоположной грани накапливаются нескомненсированные положительные заряды. Это приводит к возникновению электрического поля, направленного от C к D. Поле EХ действует на электроны с силой f = qEx, направленной против силы Лоренца. При f - FЛ поперечное электрическое поле уравновешивает силу Лоренца и дальнейшее накопление электрических зарядов на боковых гранях пластины прекращается.
 
  Эффект Холла получил наиболее широкое практическое применение из всех гальваномагнитных явлений. Помимо исследования электрических свойств материалов он послужил основой для устройства большого класса приборов: магнитометров, преобразователей постоянного тока в переменный и переменного в постоянный, усилителей постоянного и переменного тока, генераторов сигналов переменного тока, фазометров, микрофонов и т. д.
 
  Полупроводниковые лазеры (КПД > 90%)
  В последние годы интенсивно развиваются работы по созданию полупроводниковых источников когерентного излучения - полупроводниковых лазеров, которые открывают возможность непосредственного преобразования энергии электрического тока в энергию когерентного излучения.
 
 
  На рис. а сплошной линией показана кривая распределения электронов, отвечающая равновесному состоянию, пунктиром - неравновесному состоянию, при котором концентрация электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне выше равновесной. Заполнение зон электронами, соответствующее такому инверсионному состоянию, показано на рис. б. Особенность его заключена в том, что кванты света с энергией, равной ширине запрещенной зоны, поглощаться системой не могут. Поглощение такого кванта должно сопровождаться переводом электрона с верхнего уровня валентной зоны на нижний уровень зоны проводимости. Так как на верхнем уровне валентной зоны электронов практически нет, а на нижнем уровне зоны проводимости нет свободных мест, то вероятность подобного процесса весьма низка. Это создает благоприятные условия для протекания стимулированного излучения и нарастания фотонной лавины. Квант света стимулирует рекомбинацию электрона и дырки (n-переход), сопровождающуюся рождением точно такого же кванта. Так как эти кванты практически не поглощаются системой, то в дальнейшем они оба участвуют в возбуждении стимулированного излучения, порождая два новых кванта, и т. д. Для того чтобы заставить один и тот же фотон участвовать в возбуждении стимулированного излучения многократно, на противоположных стенках рабочего тела лазера помещают строго параллельные одно другому зеркала (рис. в), которые отражают падающие на них фотоны и возвращают их в рабочий объем лазера. Усилению подвергаются только те фотоны, которые движутся практически строго вдоль оси, так как только эти фотоны испытывают многократные отражения от зеркал. Все другие фотоны выбывают из рабочего объема либо сразу, либо после незначительного числа отражений. В результате возникает остронаправленное излучение вдоль оси, характеризующееся высокой степенью монохроматичности.
  Полупроводниковые лазеры обладают высоким к. п. д., который приближается к 100%. Другим замечательным свойством полупроводниковых лазеров является возможность прямой модуляции когерентного излучения изменением тока, текущего через p-n-переход. Это позволяет применять полупроводниковые лазеры для целей связи и телевидения.
 
  Тензорезисторы
  Ряд полупроводниковых материалов достаточно резко изменяет свое электросопротивление под влиянием механических напряжений. Этот эффект называется тензорезистивным, а материалы, в которых он имеет место, - тензорезисторами. Природа тензорезистивного эффекта у разных полупроводников может быть различной. У порошковых композиций, например у авиационных угольных регуляторов напряжения и в угольных микрофонах, она обусловливается преимущественно изменением электросопротивления за счет изменения площади и качества поверхности контактов; в однородных монокристаллах - изменением ширины валентной зоны и анизотропии эффективных масс электронов при деформировании; в монокристаллах с p-n-переходами - за счет изменений ширины перехода и потенциалов на нем.
  В простейшем случае этот эффект оценивается коэффициентом тензочувствительности по напряжению:
 
  характеризующему относительное изменение электросопротивления ?R/R0, приходящееся на единицу приложенного напряжения ?, или коэффициентом тензочувствительности по деформации:
 
 
 
  где ?R - изменение сопротивления; ? - механическое напряжение; ? - коэффициент тензочувствительности по напряжению; ? - механическая деформация; K - коэффициент тензочувствительности по деформации.
 
 
 
  Лекция 3
 Механические свойства материалов
 
  Из всех свойств, которыми обладают твердые тела, наиболее характерными являются механические свойства - прочность, твердость, пластичность, износостойкость и др. Именно благодаря этим свойствам твердые тела получили столь широкое практическое применение в качестве конструкционных, строительных, электротехнических, магнитных и других материалов, без которых немыслимо развитие материального производства. Рассмотрим некоторые из этих свойств.
 
  Диаграмма растяжения
 
  При действии на тело внешней растягивающей силы оно растягивается, и этот процесс отражается на диаграмме растяжения.
 
 
  Различают относительное и абсолютное удлинение:
 
 1. Относительное
 
 
 2. Абсолютное
 
 
 
  При этом материал испытывает механическое напряжение
 
 
 Связь абсолютного удлинения и механического
 
 
 удлинения отражается в законе Гука или
 
 
  где k - коэффициент податливости, - коэффициент упругости (модуль Юнга)
 
  Зона ОА носит название зоны упругости (). Здесь материал подчиняется закону Гука. На рисунке этот участок для большей наглядности показан с отступлением от масштаба. Удлинения на участке ОА очень малы, и прямая ОА, будучи вычерченной в масштабе, совпадала с осью ординат. Величина силы, для которой остается справедливым закон Гука, зависит от размеров образца и физических свойств материала. Для высококачественных сталей эта величина имеет большее значение. Для таких металлов, как медь, алюминий, свинец, она оказывается в несколько раз меньшей.
  Зона АВ называется зоной общей текучести, а участок АВ диаграммы - площадкой текучести. Здесь происходит существенное изменение длины образца без заметного увеличения нагрузки. Наличие площадки текучести для металлов не является характерным. В большинстве случаев при испытании на растяжение и сжатие площадка АВ не обнаруживается.
 
 
  Зона ВС называется зоной упрочнения. Здесь удлинение образца сопровождается возрастанием нагрузки, но неизмеримо более медленным (в сотни раз), чем на упругом участке. В стадии упрочнения на образце намечается место будущего разрыва и начинает образовываться так называемая шейка - местное сужение образца.
  По мере растяжения образца утонение шейки прогрессирует. Когда относительное уменьшение площади сечения сравняется с относительным возрастанием напряжения, сила достигнет максимума. В дальнейшем удлинение образца происходит с уменьшением силы, хотя среднее напряжение в поперечном сечении шейки и возрастает. Удлинение образца носит в этом случае местный характер, и поэтому участок кривой CD называется зоной местной текучести. Точка D соответствует разрушению образца. У многих материалов разрушение происходит без заметного образования шейки.
  Если испытуемый образец, не доводя до разрушения, разгрузить, то в процессе разгрузки зависимость между силой и удлинением изобразится прямой KL. Опыт показывает, что эта прямая параллельна прямой ОА. При разгрузке удлинение полностью не исчезает. Оно уменьшается на величину упругой части удлинения (отрезок LM). Отрезок OL представляет собой остаточное удлинение. Его называют также пластическим удлинением, а соответствующую ему деформацию - пластической деформацией. При повторном нагружении образца диаграмма растяжения принимает вид прямой LK и далее - кривой KCD, как будто промежуточной разгрузки и не было.
 
 
 
 
  Чтобы дать количественную оценку описанным выше свойствам материала, перестроим диаграмму растяжения в координатах ? и ?. Эта диаграмма имеет тот же вид, что и диаграмма растяжения, но будет характеризовать уже не свойства образца, а свойства материала. Отметим на диаграмме характерные точки и дадим определение соответствующих им числовых величин. Наибольшее напряжение, до которого материал следует закону Гука, называется пределом пропорциональности ?п. Величина предела пропорциональности зависит от той степени точности, с которой начальный участок диаграммы можно рассматривать как прямую.
  Упругие свойства материала сохраняются до напряжения, называемого пределом упругости. Под пределом упругости ?у понимается такое наибольшее напряжение, до которого материал не получает остаточных деформаций. Для того чтобы найти предел упругости, необходимо после каждой дополнительной нагрузки образец разгружать и следить, не образовалась ли остаточная деформация. Так как пластические деформации в отдельных кристаллах появляются уже в самой ранней стадии нагружения, ясно, что величина предела упругости, как и предела пропорциональности, зависит от требований точности, которые накладываются на производимые замеры.
  Следующей характеристикой является предел текучести. Под пределом текучести понимается то напряжение, при котором происходит рост деформации без заметного увеличения нагрузки. Предел текучести легко поддается определению и является одной из основных механических характеристик материала.
  Отношение максимальной силы, которую способен выдержать образец, к его начальной площади поперечного сечения носит название предела прочности, или временного сопротивления, и обозначается через ?вр.
 
  Пластичность и хрупкость. Твердость
  Способность материала получать большие остаточные деформации, не разрушаясь, носит название пластичности. Свойство пластичности имеет решающее значение для таких технологических операций, как штамповка, вытяжка, волочение, гибка и др. Мерой пластичности является удлинение ? при разрыве. Чем больше ?, тем более пластичным считается материал. К числу весьма пластичных материалов относятся отожженная медь, алюминий, латунь, малоуглеродистая сталь и др. Менее пластичными являются дюраль и бронза. К числу слабо пластичных материалов относятся многие легированные стали.
  Противоположным свойству пластичности является свойство хрупкости, т. е. способность материала разрушаться без образования заметных остаточных деформаций. Материалы, обладающие этим свойством, называются хрупкими. Для таких материалов величина удлинения при разрыве не превышает 2-5%, а в ряде случаев измеряется долями процента. К хрупким материалам относятся чугун, высокоуглеродистая инструментальная сталь, стекло, кирпич, камни и др. Диаграмма растяжения хрупких материалов не имеет площадки текучести и зоны упрочнения.
 
 
 Кривые растяжения материалов: а-хрупкого, б-пластичного
 
 
 
 
  По-разному ведут себя пластичные и хрупкие материалы и при испытании на сжатие. Испытание на сжатие производится на коротких цилиндрических образцах, располагаемых между параллельными плитами. Диаграмма сжатия образца имеет вид кривой, показанной на рисунке.
  Здесь, как и для растяжения, обнаруживается площадка текучести с последующим переходом к зоне упрочнения. В дальнейшем, однако, нагрузка не падает, как при растяжении, а резко возрастает. Происходит это в результате того, что площадь поперечного сечения сжатого образца увеличивается; сам образец вследствие трения на торцах принимает бочкообразную форму. Довести образец пластического материала до разрушения практически не удается. Испытуемый цилиндр сжимается в тонкий диск и дальнейшее испытание ограничивается возможностями машины. Поэтому предел прочности при сжатии для такого рода материалов найден быть не может.
  Иначе ведут себя при испытании на сжатие хрупкие материалы. Диаграмма сжатия этих материалов сохраняет качественные особенности диаграммы растяжения. Предел прочности хрупкого материала при сжатии определяется так же, как и при растяжении. Разрушение образца происходит с образованием трещин по наклонным или продольным плоскостям.
  Сопоставление предела прочности хрупких материалов при растяжении с пределом прочности при сжатии показывает, что эти материалы обладают, как правило, более высокими прочностными показателями при сжатии, нежели при растяжении. Существуют материалы, способные воспринимать при растяжении большие нагрузки, чем при сжатии. Это обычно материалы, имеющие волокнистую структуру, - дерево и некоторые типы пластмасс. Этим свойством обладают и некоторые металлы, например магний.
 
 
 
 
  Способы измерения твёрдости
 
  Под твердостью понимается способность материала противодействовать механическому проникновению в него посторонних тел. Такое определение твердости повторяет, по существу, определение свойств прочности. В материале при вдавливании в него острого предмета возникают местные пластические деформации, сопровождающиеся при дальнейшем увеличении сил местным разрушением. Поэтому показатель твердости связан с показателями прочности и пластичности и зависит от конкретных условий ведения испытания.
  Наиболее широкое распространение получили пробы по Бринелю и по Роквеллу. В первом случае в поверхность исследуемой детали вдавливается стальной шарик диаметром 10 мм, во втором - алмазный острый наконечник. По обмеру полученного отпечатка судят о твердости материала. Испытательная лаборатория обычно располагает составленной путем экспериментов переводной таблицей, при помощи которой можно приближенно по показателю твердости определить предел прочности материала. Таким образом, в результате пробы на твердость удается определить прочностные показатели материала, не разрушая детали.
 
  Для каждого материала существует установленная ГОСТом сила вдавливания F
 
  Для стали и чугуна F = 3000 кгс
  Для сплава меди, никеля, алюминия F = 1000 кгс
  Для мягких сплавов F = 250 кгс
 
  Твёрдость материала по Бринелю рассчитывают исходя из площади отпечатка.
 
 
  [HB] = 1Па
 
 
 
  Для стали ~ 0,4 HB
 
  Для бронзы, латуни ~ 0,25 HB
 
  Влияние энергии химических связей на свойства материалов
  Свойства материалов определяются химическим составом и внутренним строением. При одном и том же химическом составе свойства материалов могут существенно отличаться в зависимости от условий их получения и эксплуатации.
  Так как любой материал представляет собой продукт взаимодействия огромного количества атомов одного или нескольких химических элементов, то его свойства прежде всего зависят от типа и энергии химической связи составляющих атомов. При любом характере химического сродства частицы тела стремятся расположиться в таком порядке и на таких расстояниях, которые обусловливают относительный минимум энергии всей системы, иными словами, ее наиболее устойчивое в данных условиях состояние. Эти равновесные расстояния между частицами обозначим R0.
  При очень больших взаимных расстояниях атомы практически не взаимодействуют друг с другом, так что энергию их можно считать постоянной и равной нулю. При уменьшении расстояния между атомами проявляются силы притяжения и потенциальная энергия понижается. При некотором равновесном расстоянии R=Ro энергия W принимает минимальное значение, а результирующая сила взаимодействия F = dW/dR становится равной нулю. При дальнейшем сближении частиц возникнут силы отталкивания, так как внешние слои атомов, заряженные отрицательно, придут в тесное соприкосновение.
  Общая зависимость изменения энергии W и сил взаимодействия F пары частиц в молекулах выражается кривой взаимодействия, приведенной на рисунке.
 
  В условиях равновесия частицы располагаются в минимумах потенциальной кривой - в "потенциальных ямах". Величина Wmin характеризует энергию связи частиц, т. е. ту энергию, которую нужно затратить, чтобы разобщить структурные элементы тела. Максимум величины F представляет собой теоретическое усилие, которое может выдержать тело при упругом растяжении. Величина ?W - энергия перехода частиц из одного относительно устойчивого состояния в другое.
  Знание кривых взаимодействия позволяет судить о ряде общих свойств тел и особенностях их поведения. Чем ниже расположена точка Wmin, тем выше энергия связи частиц тела, выше его температура плавления, больше модуль упругости, меньше температурный коэффициент линейного расширения и т. д. Хотя точный вид кривой взаимодействия зависит от конкретных свойств взаимодействующих частиц и от направления, в котором она исследуется, однако в общих чертах ее вид определяется типом и энергией химической связи. При воздействии на тело силовых полей частицы тела смещаются из равновесных положений. При этом могут наблюдаться три случая.
  1. Ни одна частица не перемещается через вершины потенциальных кривых (не переходит через потенциальные барьеры). Тогда мы имеем дело с упругими безгистерезисными явлениями, при которых состояние системы при данном значении поля одинаково как в процессе его приложения (при возрастании напряженности поля), так и в процессе уменьшения напряженности поля.
  2. Некоторые слабо связанные или все частицы силовое поле перебрасывает через потенциальные барьеры из одного относительно устойчивого состояния в другое, но после снятия внешнего воздействия под влиянием внутренних напряжений или теплового движения устанавливается статистически первоначальное состояние. Это бывает тогда, когда осуществляются переходы через потенциальные барьеры, сравниваемые по порядку со средней тепловой энергией частиц. В этом случае происходят упруго-гистерезисные процессы. Такие процессы характеризуют замкнутыми кривыми, называемыми циклами гистерезиса.
  3. Если поле перемещает частицы через достаточно высокие потенциальные барьеры, то при снятии внешнего воздействия проявляется остаточный эффект. Он наблюдается при пластической деформации металлов, получении постоянных магнитов, электретов и т. д.
  Если во втором или третьем случае, т. е. при переходе через потенциальные барьеры, процесс идет последовательно, то после перехода возникают "пробойные явления" - электрический ток, течение материала и т. п.
  Теоретическая и реальная прочности кристаллов на сдвиг
 
 
  Рассмотрим кристалл
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 Тогда общая сила (где N - количество пар электронов и ионов)
 
  a - период кристаллической решётки
 
 
 Тогда
 
 
 
 Отсюда - прочность кристалла в зависимости от периода
  кристаллической решётки
 
  Основным механизмом пластического течения кристаллов является сдвигообразование. Долгое время считалось, что такое сдвигообразование происходит путем жесткого смещения одной части кристалла относительно другой одновременно по всей плоскости скольжения SS.
  В неискаженной решетке атомы двух соседних параллельных плоскостей занимают положения равновесия, отвечающие минимуму потенциальной энергии (рис. а). Силы взаимодействия между ними равны нулю. При постепенном смещении одной атомной плоскости относительно другой возникают касательные напряжения, препятствующие сдвигу и стремящиеся восстановить нарушенное равновесие (рис. б). Критическое скалывающее напряжение должно составлять десятую долю от модуля сдвига. В таблице приведено ?к для ряда металлических кристаллов, определенное из опыта и вычисленное теоретически. Сравнение этих величин показывает, что реальная прочность кристаллов на сдвиг на 3-4 порядка меньше теоретически вычисленной прочности этих кристаллов. Это свидетельствует о том, что сдвиг в кристаллах происходит не путем жесткого смещения атомных плоскостей друг относительно друга, а осуществляется таким механизмом, при котором в каждый момент имеет место смещение относительно малого количества атомов. Это привело к развитию дислокационной теории пластического течения кристаллов.
 
 
  ?- деформация сдвига
 
 
 
  - напряжение сдвига
 
 
 
 
  G - модуль сдвига
 
 
 
 Металл ?к, 10-7Па
 (эксперимен-тальное) G, 10-7 Па ?к, 10-7Па
  (теоретическое) G/2? G/30 Медь
 Серебро
 Никель
 Железо
 Магний
 Цинк
 Кадмий 0,10
 0,06
 0,58
 2,90
 0,08
 0,09
 0,06 4620
 2910
 7800
 6900
 1770
 3780
 2640 735
 455
 1240
 1100
 280
 600
 420 154
 97
 260
 230
 59
 126
 88
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  Лекция 4
 Кристаллизация металлов
 
  Переход металла из жидкого или парообразного состояния в твердое с образованием кристаллической структуры называется первичной кристаллизацией. Образование новых кристаллов в твердом кристаллическом веществе называется вторичной кристаллизацией.
  Процесс кристаллизации состоит из двух одновременно идущих процессов - зарождения и роста кристаллов. Кристаллы могут зарождаться самопроизвольно (самопроизвольная кристаллизация) или расти на имеющихся готовых центрах кристаллизации (несамопроизвольная кристаллизация).
 
  Самопроизвольная кристаллизация
  Самопроизвольная кристаллизация обусловлена стремлением вещества иметь более устойчивое состояние, характеризуемое уменьшением термодинамического потенциала G. С повышением температуры термодинамический потенциал вещества как в твердом, так и в жидком состоянии уменьшается, что показано на рисунке.
 
  Изменение термодинамического потенциала в зависимости от температуры для металла в твердом и жидком состояниях
 
  Температура, при которой термодинамические потенциалы вещества в твердом и жидком состояниях равны, называется равновесной температурой кристаллизации. Кристаллизация происходит в том случае, если термодинамический потенциал вещества в твердом состоянии будет меньше термодинамического потенциала вещества в жидком состоянии, т. е. при переохлаждении жидкого металла до температур ниже равновесной. Плавление - процесс, обратный кристаллизации, происходит при температуре выше равновесной, т. е. при перегреве. Разница между реальными температурами плавления и кристаллизации называется температурным гистерезисом.
  Поскольку жидкий металл с присущим ему ближним порядком в расположении атомов обладает большей внутренней энергией, чем твердый со структурой дальнего порядка, при кристаллизации выделяется теплота. Между теплотой и температурой кристаллизации Тк существует определенная связь. Так как при равновесной температуре кристаллизации термодинамические потенциалы в жидком и твердом состояниях равны, то
 
  => =>
 
  Параметр ?S = Q/TK характеризует упорядоченность в расположении атомов при кристаллизации. В зависимости от сил межатомной связи теплота кристаллизации для различных металлов изменяется от 2500 Дж/моль (Na, К и др.) до 20000 Дж/моль (W и др.).
  Когда кристаллизуется чистый элемент, отвод теплоты, происходящий вследствие охлаждения, компенсируется теплотой кристаллизации. В связи с этим на кривой охлаждения, изображаемой в координатах температура-время, процессу кристаллизации соответствует горизонтальный участок:
 
 Кривые охлаждения металла
 
  При большом объеме жидкого металла выделяющаяся при кристаллизации теплота повышает температуру практически до равновесной (кривая а); при малом объеме металла выделяющейся теплоты недостаточно, вследствие чего кристаллизация происходит с переохлаждением по сравнению с равновесной температурой (кривая б).
  Разница между равновесной (Ts) и реальной (Тn) температурой кристаллизации называется степенью переохлаждения ?T. Степень переохлаждения зависит от природы металла. Она увеличивается с повышением чистоты металла и с ростом скорости охлаждения. Обычная степень переохлаждения металлов при кристаллизации в производственных условиях колеблется от 10 до 30 °С; при больших скоростях охлаждения она может достигать сотен градусов.
  Степень перегрева при плавлении металлов, как правило, не превышает нескольких градусов.
  В жидком состоянии атомы вещества вследствие теплового движения перемещаются беспорядочно. В то же время в жидкости имеются группировки атомов небольшого объема, в пределах которых расположение атомов вещества во многом аналогично их расположению в решетке кристалла. Эти группировки неустойчивы, они рассасываются и вновь появляются в жидкости. При переохлаждении жидкости некоторые из них, наиболее крупные, становятся устойчивыми и способными к росту. Эти устойчивые группировки атомов называют центрами кристаллизации (зародышами). Образованию зародышей способствуют флуктуации энергии, т. е. отклонения энергии группировок атомов в отдельных зонах жидкого металла от некоторого среднего значения. Размер образовавшегося зародыша зависит от величины зоны флуктуации.
  Появление центров изменяет термодинамический потенциал системы ?Gобщ. С одной стороны, при переходе жидкости в кристаллическое состояние термодинамический потенциал уменьшается на V?G? (G1), с другой стороны, он увеличивается вследствие появления поверхности раздела между жидкостью и кристаллическим зародышем на величину, равную S? (G2):
 
 
 
 
 
  где V-объем зародыша; S-поверхность зародыша; ?-удельное поверхностное натяжение на границе кристалл-жидкость; ?G?-удельная разность термодинамических потенциалов при переходе жидкости в кристаллическое состояние.
  Изменение термодинамического потенциала при образовании зародышей в зависимости от их размера
 
  Если принять, что зародыш имеет форму куба с ребром А, то общее изменение термодинамического потенциала
 
 
 
  Отсюда следует, что графическая зависимость изменения термодинамического потенциала от размера зародыша имеет максимум при некотором значении А, названном критическим. Зародыши с размером больше критического вызывают уменьшение ?Gобщ. и поэтому являются устойчивыми, способными к росту. Зародыши, имеющие размер меньше критического, нестабильны и растворяются в жидкости, поскольку вызывают увеличение ?Gобщ.
 
 
 
 
 
 
 

<< Пред.           стр. 2 (из 7)           След. >>

Список литературы по разделу