Указ Президента Российской Федерации от 01.12.2005 № 1384

 У К А З
 ПРЕЗИДЕНТА РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
 О внесении изменений в Список товаров и технологий двойного
 назначения, которые могут быть использованы при создании
 вооружений и военной техники и в отношении которых
 осуществляется экспортный контроль
 В целях обеспечения выполнения международных обязательств
Российской Федерации, вытекающих из ее участия в Вассенаарских
договоренностях по экспортному контролю за обычными вооружениями,
товарами и технологиями двойного назначения,
п о с т а н о в л я ю:
 1. Внести в Список товаров и технологий двойного назначения,
которые могут быть использованы при создании вооружений и военной
техники и в отношении которых осуществляется экспортный контроль,
утвержденный Указом Президента Российской Федерации от 5 мая
2004 г. N 580 (Собрание законодательства Российской Федерации,
2004, N 19, ст. 1881), изменения по перечню согласно приложению.
 2. Настоящий Указ вступает в силу через три месяца со дня его
официального опубликования.
 Президент Российской Федерации В.Путин
 Москва, Кремль
 1 декабря 2005 года
 N 1384
 ___________________
 ПРИЛОЖЕНИЕ
 к Указу Президента
 Российской Федерации
 от 1 декабря 2005 г.
 N 1384
 П Е Р Е Ч Е Н Ь
 изменений, вносимых в Список товаров и технологий двойного
 назначения, которые могут быть использованы при создании
 вооружений и военной техники и в отношении которых
 осуществляется экспортный контроль
 1. В разделе 1:
 в пункте 1.1.5:
 дополнить пункт особым примечанием следующего содержания:
 "Особое примечание.
 Для нитевидных и волокнистых материалов
 см. пункт 1.3.10";
 в примечании 1 слова "индивидуальные комплекты бронежилетов и
принадлежности к ним, которые вывозятся пользователями" заменить
словами "бронежилеты или защитная одежда, которые вывозятся
пользователем";
 в пункте 1.2.1.5 код ТН ВЭД "8451 80 800 0" заменить кодом ТН
ВЭД "8451 80 800 9";
 в пункте 1.3.4 код ТН ВЭД "8101 99 000 0;" после кода ТН ВЭД
"2844 10 900 0;" исключить, включив его после кода ТН ВЭД
"8101 96 000 0;";
 в пункте 1.3.8.1.4 слова ", измеренную сухим методом,
описанным в стандартной методике ASTM D 3418" исключить;
 в пункте 1.3.8.2 слова "методикой ASTM D-648 (метод А) или ее"
заменить словами "международным стандартом ISO 75-3 (2004) или
его";
 в пункте 1.3.8.6 слово "Полибифениленэфирсульфон" заменить
словами "Полибифениленэфирсульфоны, имеющие температуру перехода в
стеклообразное состояние (Tg) выше 513 К (240В°С)";
 в техническом примечании к пункту 1.3.8 слова "стандартной
методике ASTM D 3418, применяющей сухой метод" заменить словами
"международном стандарте ISO 11357-2 (1999) или его национальном
эквиваленте";
 в пункте 2.1.1.1 код ТН ВЭД "8482 10 900 0" заменить кодом ТН
ВЭД "8482 10 900 0";
 в пункте 2 технических примечаний к пункту 2.2:
 после слов "по которым" включить слова "или вокруг которых";
 слова "осуществляются относительные движения между любой
обрабатываемой деталью и режущим инструментом, отрезной головкой
или шлифовальным кругом, которые осуществляют съем материала с
обрабатываемой детали" заменить словами "в процессе обработки
заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения
между обрабатываемой деталью и инструментом";
 в пункте 2.2.1:
 дополнить пункт словами ", а также специально разработанные
для них компоненты";
 в пункте 1 примечаний цифры "2.2.2" заменить цифрами "2.2.3";
 дополнить примечания пунктом 3 следующего содержания:
 "3. Станок, имеющий по крайней мере две
 возможности из трех: токарной обработки,
 фрезерования или шлифования (например,
 токарный станок с возможностью
 фрезерования), должен быть оценен по
 каждому соответствующему пункту 2.2.1.1,
 2.2.1.2 или 2.2.1.3";
 пункт "б" примечания к пункту 2.2.1.3 изложить в следующей
редакции:
 "б) станки, специально разработанные как
 координатно-шлифовальные, не имеющие
 Z-оси или W-оси, с точностью
 позиционирования со всеми доступными
 компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в
 соответствии с международным стандартом
 ISO 230/2 (1997) или его национальным
 эквивалентом;";
 после пункта 2.2.1.6 включить новый пункт 2.2.2 и техническое
примечание к нему следующего содержания:
"2.2.2. Станки с числовым программным 8464 20 110 0;
 управлением, использующие процесс 8464 20 190 0;
 магнитореологической чистовой обработки 8464 20 950 0;
 (МРЧО) 8465 93 000 0";
 Техническое примечание.
 Для целей пункта 2.2.2 под МРЧО
 понимается процесс съема материала,
 использующий абразивную магнитную
 жидкость, вязкость которой регулируется
 магнитным полем
 пункты 2.2.2 - 2.2.8 считать соответственно пунктами
2.2.3 - 2.2.9;
 в примечании к пункту 2.2.4 цифру "4" заменить цифрой "5";
 в пунктах 2.2.4.1, 2.2.4.2, 2.2.4.4 - 2.2.4.7 слова
"Управляемое встроенной программой производственное" заменить
словом "Производственное";
 в пункте 2.2.4.3 слова "Управляемое встроенной программой
технологическое" заменить словом "Технологическое";
 в пункте 2.2.5.1 слова "управлением, числовым программным
управлением или управляемые встроенной программой" заменить словами
"управлением или числовым программным управлением";
 в примечании и техническом примечании к пункту 2.2.5.2.1 цифру
"5" заменить цифрой "6";
 в примечании к пункту 2.2.5.2.2:
 после слова "свет" включить слова "(например, лазерное
излучение)";
 цифру "5" заменить цифрой "6";
 в особых примечаниях к пунктам 2.2.7.1 и 2.2.7.2 цифру "5"
заменить цифрой "6";
 в техническом примечании к пункту 2.2.8 цифру "8" заменить
цифрой "9";
 примечание к пункту 2.4.2 изложить в следующей редакции:
 "Примечания:
 1. По пункту 2.4.2 не контролируется
 программное обеспечение, специально
 разработанное или модифицированное для
 работы станков, не контролируемых по
 пунктам категории 2
 2. По пункту 2.4.2 не контролируется
 программное обеспечение для изделий,
 контролируемых по пункту 2.2.2.
 В отношении контроля за программным
 обеспечением для изделий, контролируемых
 по пункту 2.2.2, см. пункт 2.4.1";
 в пункте 17 примечаний к таблице "Технические приемы нанесения
покрытий" к пункту 2.5.3.6:
 слова "любое из следующего" заменить словами "любые из
следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5%
бериллия";
 слова "и медицинские приборы" заменить словами "медицинские
приборы или формы для литья или формования пластмассы";
 в пункте "б" особых примечаний к пункту 4 технических
примечаний к таблице "Технические приемы нанесения покрытий" к
пункту 2.5.3.6, в пунктах 9.1.6.4, 9.1.6.5, 9.1.6.8, подпункте "б"
пункта 9.1.7 и в техническом примечании к пункту 9.5.3.7
обозначение "Мпа" заменить обозначением "МПа";
 пункт 3.1.1.1.3.2 изложить в следующей редакции:
"3.1.1.1.3.2. Более трех шин данных или команд либо 8542 21 45;
 последовательных портов связи, 8542 21 500 0;
 обеспечивающих в отдельности прямое 8542 21 83;
 внешнее соединение между 8542 21 850 0;
 параллельными микросхемами 8542 60 000";
 микропроцессоров со скоростью
 передачи 1000 Мбайт/с или более
 в пункте 3.1.1.1.5:
 подпункт "а" изложить в следующей редакции:
 "а) аналого-цифровые преобразователи,
 имеющие любую из следующих
 характеристик:
 разрешающую способность 8 бит или более,
 но менее 10 бит, со скоростью на выходе
 более 500 млн. слов в секунду;
 разрешающую способность 10 бит или
 более, но менее 12 бит, со скоростью на
 выходе более 200 млн. слов в секунду;
 разрешающую способность 12 бит со
 скоростью на выходе более
 50 млн. слов в секунду;
 разрешающую способность более 12 бит, но
 равную или меньше 14 бит, со скоростью на
 выходе более 5 млн. слов в секунду; или
 разрешающую способность более 14 бит со
 скоростью на выходе более 1 млн. слов в
 секунду;";
 в технических примечаниях:
 пункт 2 изложить в следующей редакции:
 "2. Количество бит в выходном слове
 соответствует разрешающей способности
 аналого-цифрового преобразователя";
 дополнить технические примечания пунктами 3 и 4 следующего
содержания:
 "3. Скорость на выходе является
 максимальной скоростью на выходе
 преобразователя независимо от структуры
 или выборки с запасом по частоте
 дискретизации. Поставщики могут также
 ссылаться на скорость на выходе как на
 частоту выборки, скорость преобразования
 или пропускную способность. Ее часто
 определяют в мегагерцах (МГц) или
 миллионах выборок в секунду (Мвыб./с)
 4. Для целей измерения скорости на выходе
 одно выходное слово в секунду равнозначно
 одному герцу или одной выборке в
 секунду;";
 в подпункте "а" пункта 1 и в подпункте "б" пункта 2 примечаний
к пункту 3.1.1.2.1, в подпункте "а" пункта 3.1.1.2.1.1, пункте
3.2.2.1, подпункте "ж" пункта 3.5.3, пункте 5.1.1.4 и в подпункте
"б" пункта 5.5.1.3.4 цифры "31" заменить цифрами "31,8";
 пункт 3.1.1.2.2 изложить в следующей редакции:
"3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые 8542 29;
 интегральные схемы (ММИС) - усилители 8542 60 000;
 мощности, имеющие любую из следующих 8542 70 000 0";
 характеристик:
 а) предназначенные для работы на
 частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц
 включительно и со средней выходной
 мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ,
 отсчитываемых относительно уровня
 1 мВт), с относительной шириной полосы
 частот более 15%;
 б) предназначенные для работы на
 частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц
 включительно и со средней выходной
 мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ,
 отсчитываемых относительно уровня
 1 мВт), с относительной шириной полосы
 частот более 10%;
 в) предназначенные для работы на
 частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц
 включительно и со средней выходной
 мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ,
 отсчитываемых относительно уровня
 1 мВт), с относительной шириной полосы
 частот более 10%;
 г) предназначенные для работы на
 частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц
 включительно;
 д) предназначенные для работы на
 частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц
 включительно и со средней выходной
 мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ,
 отсчитываемых относительно уровня
 1 мВт), с относительной шириной полосы
 частот более 10%; или
 е) предназначенные для работы на
 частотах выше 43,5 ГГц
 в примечаниях к названному пункту:
 пункт 1 исключить;
 пункт 2 считать пунктом 1;
 дополнить примечания пунктами 2 и 3 следующего содержания:
 "2. Контрольный статус ММИС, рабочая
 частота которых охватывает более одной
 полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.2,
 определяется наименьшим контрольным
 порогом средней выходной мощности
 3. Примечания, приведенные после пункта
 3.1 категории 3, подразумевают, что по
 пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС,
 если они специально разработаны для иных
 целей, например для телекоммуникаций,
 радиолокационных станций, автомобилей;";
 пункты 3.1.1.2.3 и 3.1.1.2.4 изложить в следующей редакции:
"3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, имеющие 8541 21 000 0;
 любую из следующих характеристик: 8541 29 000 0
 а) предназначенные для работы на
 частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц
 включительно и имеющие среднюю
 выходную мощность, превышающую
 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых
 относительно уровня 1 мВт);
 б) предназначенные для работы на
 частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц
 включительно и имеющие среднюю
 выходную мощность, превышающую
 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно
 уровня 1 мВт);
 в) предназначенные для работы на
 частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц
 включительно и имеющие среднюю
 выходную мощность, превышающую
 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых
 относительно уровня 1 мВт);
 г) предназначенные для работы на
 частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц
 включительно и имеющие среднюю
 выходную мощность, превышающую 1 Вт
 (30 дБ, отсчитываемых относительно
 уровня 1мВт); или
 д) предназначенные для работы на
 частотах выше 43,5 ГГц
 Примечание.
 Контрольный статус изделия, рабочая
 частота которого охватывает более одной
 полосы частот, указанной в пункте
 3.1.1.2.3, определяется наименьшим
 контрольным порогом средней выходной
 мощности;
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители 8543 89 950 0";
 и микроволновые сборки/модули,
 содержащие микроволновые усилители,
 имеющие любую из следующих
 характеристик:
 а) предназначенные для работы на
 частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц
 включительно и со средней выходной
 мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ,
 отсчитываемых относительно уровня
 1 мВт), с относительной шириной полосы
 частот более 15%:
 б) предназначенные для работы на
 частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц
 включительно и со средней выходной
 мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ,
 отсчитываемых относительно уровня
 1 мВт), с относительной шириной полосы
 частот более 10%;
 в) предназначенные для работы на
 частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц
 включительно;
 г) предназначенные для работы на
 частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц
 включительно и со средней выходной
 мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ,
 отсчитываемых относительно уровня
 1 мВт), с относительной шириной полосы
 частот более 10%;
 д) предназначенные для работы на
 частотах выше 43,5 ГГц; или
 е) предназначенные для работы на
 частотах выше 3 ГГц и имеющие все
 следующее:
 среднюю выходную мощность Р (Вт),
 большую, чем результат от деления
 2
 величины 150 (Вт.ГГц ) на максимальную
 рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то
 2
 есть: Р > 150/f или в единицах
 2 2
 размерности [(Вт) > (Вт.ГГц )/(ГГц) ];
 относительную ширину полосы частот 5%
 или более;
 любые две взаимно перпендикулярные
 стороны с длиной d (см), равной или
 меньше, чем результат от деления
 величины 15 (см.ГГц) на наименьшую
 рабочую частоту f(ГГц), то есть:
 d <= 15/f или в единицах размерности
 [(см) <= (см.ГГц)/(ГГц)]
 Особое примечание.
 Для оценки ММИС усилителей мощности
 должны применяться критерии, описанные
 в пункте 3.1.1.2.2
 Примечания:
 1. По пункту 3.1.1.2.4 не контролируется
 радиопередающее спутниковое
 оборудование, разработанное или
 предназначенное для работы в полосе
 частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц
 2. Контрольный статус изделия, рабочая
 частота которого охватывает более одной
 полосы частот, указанной в пункте
 3.1.1.2.4, определяется наименьшим
 контрольным порогом средней выходной
 мощности;
 пункт 3.1.1.2.6 исключить;
 пункты 3.1.1.2.7 и 3.1.1.2.8 считать соответственно пунктами
3.1.1.2.6 и 3.1.1.2.7;
 в примечании к пункту 3.1.1.2.8 цифру "8" заменить цифрой "7";
 в пунктах 3.1.2.1.2, 3.1.2.1.4 и 3.1.2.1.6 код ТН ВЭД
"8521 90 000 0" заменить кодом ТН ВЭД "8521 90 000 9";
 пункт 3.1.2.3.1 изложить в следующей редакции:
"3.1.2.3.1. Анализаторы сигналов, способные 9030 83 900 0;
 анализировать любые сигналы с частотой 9030 89 920 0";
 выше 31,8 ГГц, но не превышающей
 37,5 ГГц, иимеющие разрешающую
 способность 3 дБ для ширины полосы
 пропускания более 10 МГц;
 в пункте 3.1.2.3 после пункта 3.1.2.3.1 включить новый пункт
3.1.2.3.2 следующего содержания:
"3.1.2.3.2. Анализаторы сигналов, способные 9030 83 900 0;
 анализировать сигналы с частотой выше 9030 89 920 0";
 43,5 ГГц;
 в примечании к пункту 3.1.2.3.2 слова "По пункту 3.1.2.3.2"
заменить словами "По пункту 3.1.2.3.3";
 пункт 3.1.2.3.2 считать пунктом 3.1.2.3.3;
 в пункте 3.1.2.4:
 в подпункте "а" слова ", превышающую 31,8 ГГц" заменить
словами "выше 31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ГГц, и
предназначенные для создания длительности импульса менее 100 нс";
 включить в пункт новый подпункт "б" следующего содержания:
 "б) максимальную синтезируемую частоту
 выше 43,5 ГГц;";
 в подпункте "в" слова "в единицах дБ/Гц" заменить словами
"в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц";
 подпункты "б" и "в" считать соответственно подпунктами "в" и
дополнить пункт техническим примечанием следующего содержания:
 "Техническое примечание.
 Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.4
 длительность импульса определяется как
 временной интервал между передним
 фронтом импульса, достигающим 90% от
 максимума, и задним фронтом импульса,
 достигающим 10% от максимума";
 пункт 3.1 дополнить пунктом 3.1.3 следующего содержания:
"3.1.3. Терморегулирующие системы охлаждения 8419 89 989 0;
 диспергированной жидкостью, использующие 8424 89 950 9;
 оборудование с замкнутым контуром для 8479 89 980 0";
 перемещения и регенерации жидкости в
 герметичной камере, в которой жидкий
 диэлектрик распыляется на электронные
 компоненты при помощи специально
 разработанных распыляющих сопел,
 применяемых для поддержания температуры
 электронных компонентов в пределах их
 рабочего диапазона, а также специально
 разработанные для них компоненты
 в пунктах 3.2.1.1, 3.2.1.3, 3.2.1.4, 3.2.1.6, 3.2.2 слова
"Управляемое встроенной программой оборудование" заменить словом
"Оборудование";
 пункт 3.2.1.1.1 изложить в следующей редакции:
"3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее 8479 89 650 0";
 производство любого из следующего:
 а) силиконового слоя с отклонением
 равномерности его толщины менее +-2,5%
 на расстоянии 200 мм или более; или
 б) слоя из любого материала, отличного от
 силикона, с отклонением равномерности
 толщины менее +-2,5% на расстоянии 75 мм
 или более;
 в пункте 3.2.1.2:
 слова "Управляемое встроенной программой оборудование"
заменить словом "Оборудование";
 в подпункте "г" слова "имеет возможность" заменить словами
"энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более
для";
 в подпункте "а" пунктов 3.2.1.3.1 и 3.2.1.3.2 слова "размером
0,3 мкм" заменить словами "размером 180 нм";
 пункты 3.2.1.4.1 и 3.2.1.4.2 изложить в следующей редакции:
"3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок из
 кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой,
 разработанное в соответствии с
 техническими условиями производителя
 или оптимизированное для использования в
 производстве полупроводниковых
 устройств с критическим размером 180 нм
 или менее;
3.2.1.4.2. Оборудование, специально
 спроектированное для систем,
 контролируемых по пункту 3.2.1.5,
 и разработанное в соответствии с
 техническими условиями производителя
 или оптимизированное для использования в
 производстве полупроводниковых
 устройств с критическим размером 180 нм
 или менее;";
 в пункте 3.2.1.5 слова "Управляемые встроенной программой
автоматически" заменить словом "Автоматически";
 в пункте 3.2.1.6.1:
 в подпункте "а" цифры "350" заменить цифрами "245";
 в подпункте "б":
 слова "элемента 0,35 мкм" заменить словами "элемента 180 нм";
 в техническом примечании:
 слово "микрометрах" заменить словом "нанометрах";
 цифры "0,7" заменить цифрами "0,45";
 пункт 3.2.1.8 дополнить примечанием следующего содержания:
 "Примечание.
 По пункту 3.2.1.8 не контролируются
 многослойные шаблоны с фазосдвигающим
 слоем, разработанные для изготовления
 запоминающих устройств, не
 контролируемых по пункту 3.1.1";
 пункт 3.2.2.2 с примечанием и техническим примечанием
исключить;
 пункт 3.2.2.3 считать пунктом 3.2.2.2;
 в пункте 3.3.3.2 после слова "чистотой" включить слово
"основы";
 в пункте 3.4:
 пункты 3.4.2 и 3.4.3 изложить в следующей редакции:
"3.4.2. Программное обеспечение, специально
 разработанное для применения в любом
 нижеследующем оборудовании:
 а) контролируемом по пунктам
 3.2.1.1 - 3.2.1.6; или
 б) контролируемом по пункту 3.2.2
3.4.3. Физически обоснованное программное
 обеспечение моделирования, специально
 разработанное для разработки процессов
 литографии, травления или осаждения с
 целью воплощения маскирующих шаблонов
 в конкретные топографические рисунки на
 проводниках, диэлектриках или
 полупроводниках
 Техническое примечание.
 Под термином "физически обоснованное" в
 пункте 3.4.3 понимается использование
 вычислений для определения
 последовательности физических факторов и
 результатов воздействия, основанных на
 физических свойствах (например,
 температура, давление, коэффициент
 диффузии и полупроводниковые свойства
 материалов)
 Примечание.
 Библиотеки, проектные атрибуты или
 сопутствующие данные для проектирования
 полупроводниковых приборов или
 интегральных схем рассматриваются как
 технология";
 дополнить пункт пунктом 3.4.4 следующего содержания:
"3.4.4. Программное обеспечение, специально
 разработанное для разработки
 оборудования, контролируемого по
 пункту 3.1.3 ";
 пункт 3.5.1 дополнить примечанием следующего содержания:
 "Примечание.
 По пункту 3.5.1 не контролируются
 технологии для производства оборудования
 или компонентов, контролируемых по
 пункту 3.1.3";
 примечание к пунктам 3.5.1 и 3.5.2 изложить в следующей
редакции:
 "Примечание.
 По пунктам 3.5.1 и 3.5.2 не контролируются
 технологии для разработки или
 производства интегральных схем,
 контролируемых по пунктам
 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих оба
 нижеперечисленных признака:
 а) использующие технологии с разрешением
 0,5 мкм или выше; и
 б) не содержащие многослойных структур";
 в техническом примечании к примечанию к пунктам 3.5.1 и 3.5.2
слова "подпункте 2 пункта" заменить словом "пункте";
 подпункт "б" пункта 3.5.3 дополнить примечанием следующего
содержания:
 "Примечание.
 По подпункту "б" пункта 3.5.3 не
 контролируются технологии для
 транзисторов с высокой подвижностью
 электронов (ТВПЭ), работающих на
 частотах ниже 31,8 ГТц, и биполярных
 транзисторов на гетероструктуре (ГБТ),
 работающих на частотах ниже 31,8 ГТц;";
 пункт 4.1.2 исключить;
 в примечаниях к пунктам 4.1.3.1, 4.1.3.5, 4.1.3 и в пункте
4.1.3.3 цифру "3" заменить цифрой "2";
 в примечаниях к пункту 4.1.3.3 цифры "3.2", "3.3" и "3.4"
заменить соответственно цифрами "2.2", "2.3" и "2.4";
 в пункте 4.1.3.4 коды ТН ВЭД "8543 90 200 0; 8471 90 000 0"
заменить кодами ТН ВЭД "8471 90 000 0; 8543 90 200 0";
 пункты 4.1.3 - 4.1.3.5 и 4.1.4 - 4.1.4.3 считать
соответственно пунктами 4.1.2 - 4.1.2.5 и 4.1.3 - 4.1.3.3;
 в подпунктах "а" пунктов 4.4.1.2 и 4.5.2 цифры "28 000"
заменить цифрами "75 000";
 в пункте 5 примечаний к этапу III технического примечания (по
вычислению совокупной теоретической производительности) к категории
4 цифры "4.1.3.3" заменить цифрами "4.1.2.3";
 пункт 5.1.1 дополнить пунктом 5.1.1.5 следующего содержания:
"5.1.1.5. Оборудование радиопеленгации, 8525 20 990 9;
 работающее на частотах выше 30 МГц и 8526 91 900 0";
 имеющее все следующие характеристики, и
 специально разработанные для него
 компоненты:
 а) мгновенную ширину полосы частот,
 равную 1 МГц или выше;
 б) параллельную обработку данных по
 более чем 100 частотным каналам; и
 в) производительность более
 1000 пеленгований в секунду на частотный
 канал
 в пунктах 5.2.1.2, 5.4.1.4 и 5.5.1.3 слова "управляемого
встроенной программой" исключить;
 в пунктах 5.2.1.2.1, 5.4.1.4.1 и 5.5.1.3.1:
 слова ", включая асинхронный режим передачи," исключить;
 слова "превышающей 1,5 Гбит/с;" заменить словами "превышающей
15 Гбит/с";
 дополнить пункты техническим примечанием следующего
содержания:
 "Техническое примечание.
 Для коммутационного оборудования общая
 скорость цифровой передачи измеряется по
 самой высокой скорости порта или линии;";
 пункт 5.1.2.1.6 исключить;
 пункт 5.1.2.1.7 считать пунктом 5.1.2.1.6;
 в пункте 6.1.1.1.2.1:
 подпункт "д" считать подпунктом "е";
 в техническом примечании слова "Техническое примечание."
исключить;
 техническое примечание считать пунктом 3 новых технических
примечаний, изложенных в пункте 4 настоящего приложения;
 пункт 6.1.3.2.1 и техническое примечание к нему изложить в
следующей редакции:
"6.1.3.2.1. Видеокамеры, включающие твердотельные 8525 30;
 датчики, имеющие максимальную 8525 40";
 чувствительность в диапазоне длин волн от
 более 10 нм до 30 000 нм включительно
 и все следующее:
 а) имеющие любую из следующих
 характеристик:
 6
 более 4 х 10 активных пикселей на
 твердотельную матрицу для монохромных
 (черно-белых) камер;
 6
 более 4 х 10 активных пикселей на
 твердотельную матрицу для цветных камер,
 включающих три твердотельные матрицы; или
 6
 более 12 х 10 активных пикселей для
 цветных камер на основе одной
 твердотельной матрицы; и
 б) имеющие любую из следующих
 характеристик:
 оптические зеркала, контролируемые по
 пункту 6.1.4.1;
 оборудование оптического контроля,
 контролируемое по пункту 6.1.4.4; или
 способность комментирования отслеживаемых
 данных, накопленных внутри камеры
 Технические примечания:
 1. Для целей настоящего пункта цифровые
 видеокамеры должны оцениваться
 максимальным числом активных пикселей,
 используемых для фиксации движущихся
 изображений
 2. Для целей настоящего пункта термин
 "отслеживаемые данные камеры" означает
 информацию, необходимую для определения
 ориентации по линии визирования камеры
 относительно земли. Это включает:
 а) азимутальный угол линии визирования
 камеры, образованный относительно
 направления магнитного поля земли; и
 б) вертикальный угол между линией
 визирования камеры и горизонтом земли;
 в пункте 6.1.5.2:
 примечания, данные в конце пункта, исключить, включив их после
слов "Полупроводниковые лазеры:";
 пункты 6.1.5.2.2 и 6.1.5.2.3 изложить в следующей редакции:
"6.1.5.2.2. Одиночные с многократными поперечными 8541 40 100 0
 модами полупроводниковые лазеры,
 имеющие любую из следующих
 характеристик:
 а) длину волны менее 1400 нм и имеющие
 среднюю или выходную мощность в
 непрерывном режиме, превышающую
 10 Вт;
 б) длину волны, равную или больше
 1400 нм, но менее 1900 нм, и имеющие
 среднюю или выходную мощность в
 непрерывном режиме, превышающую
 2,5 Вт; или
 в) длину волны, равную или больше
 1900 нм, и имеющие среднюю или
 выходную мощность в непрерывном
 режиме, превышающую 1 Вт;
6.1.5.2.3. Матрицы отдельных полупроводниковых 8541 40 100 0";
 лазеров, имеющие любую из следующих
 характеристик:
 а) длину волны менее 1400 нм и
 имеющие среднюю или выходную
 мощность в непрерывном режиме,
 превышающую 80 Вт;
 б) длину волны, равную или больше
 1400 нм, но менее 1900 нм, и имеющие
 среднюю или выходную мощность в
 непрерывном режиме, превышающую
 25 Вт; или
 в) длину волны, равную или больше
 1900 нм, и имеющие среднюю или
 выходную мощность в непрерывном
 режиме, превышающую 10 Вт;
 включить после пункта 6.1.5.2.3 пункт 6.1.5.2.4 следующего
содержания:
"6.1.5.2.4. Наборы матриц полупроводниковых 8541 40 100 0";
 лазеров, включающие по меньшей мере
 одну матрицу, которая контролируется
 по пункту 6.1.5.2.3
 техническое примечание к пункту изложить в следующей редакции:
 "Технические примечания:
 1. Полупроводниковые лазеры обычно
 называются лазерными диодами
 2. Матрица состоит из повторяющихся
 излучателей полупроводникового лазера,
 скомпонованных как однокристальная
 микросхема таким образом, чтобы центры
 пучков излучаемого света находились на
 параллельных траекториях
 3. Набор матриц компонуется наложением
 или иным способом сборки матриц таким
 образом, чтобы центры пучков излучаемого
 света находились на параллельных
 траекториях;";
 пункт 6.1.6.1 изложить в следующей редакции:
"6.1.6.1. Следующие магнитометры и их
 подсистемы:
6.1.6.1.1. Использующие технологию 9015 80 110 0;
 сверхпроводящих материалов 9015 80 930 0
 (сверхпроводящих квантовых
 интерференционных датчиков или
 СКВИДов) и имеющие любую из
 следующих характеристик:
 а) системы СКВИДов, разработанные для
 стационарной эксплуатации, без специально
 разработанных подсистем,
 предназначенных для уменьшения шума в
 движении, и имеющие среднеквадратичный
 уровень шума (чувствительность), равный
 или меньше (лучше) 50 фТ, деленных на
 корень квадратный из частоты в герцах, на
 частоте 1 Гц; или
 б) системы СКВИДов, специально
 разработанные для устранения шума в
 движении и имеющие среднеквадратичный
 уровень шума (чувствительность)
 магнитометра в движении меньше (лучше)
 20 пТ, деленных на корень квадратный из
 частоты в герцах, на частоте 1 Гц;
6.1.6.1.2. Использующие технологии оптической 9015 80 110 0;
 накачки или ядерной прецессии 9015 80 930 0
 (протонной/Оверхаузера), имеющие
 среднеквадратичный уровень шума
 (чувствительность) меньше (лучше) 20 пТ,
 деленных на корень квадратный из частоты
 в герцах
 Особое примечание.
 В отношении магнитометров и их
 подсистем, указанных в пункте 6.1.6.1.2,
 см. также пункт 6.1.5.1 раздела 2;
6.1.6.1.3. Использующие технологию феррозондов 9015 80 110 0;
 (магнитомодуляционных датчиков), 9015 80 930 0";
 имеющие среднеквадратичный уровень
 шума (чувствительность), равный или
 меньше (лучше) 10 пТ, деленных на корень
 квадратный из частоты в герцах, на частоте
 1 Гц;
 в пунктах 6.1.6.2 - 6.1.6.7 код ТН ВЭД "9015 80 930 0"
заменить кодами ТН ВЭД "9015 80 110 0; 9015 80 930 0";
 пункты 6.1.6.2 и 6.1.6.3 считать соответственно пунктами
6.1.6.1.4 и 6.1.6.1.5;
 пункт 6.1.6 дополнить новым пунктом 6.1.6.2 следующего
содержания:
 "6.1.6.2. Следующие магнитные градиентометры:";
 в пункте 6.1.6.4 слова "по пунктам 6.1.6.1 - 6.1.6.3" заменить
словами "по пункту 6.1.6.1";
 в особом примечании к пункту 6.1.6.7 цифру "7" и цифры "5.1"
заменить соответственно цифрой "3" и цифрами "5.2";
 пункты 6.1.6.4 - 6.1.6.6 и 6.1.6.7 считать соответственно
пунктами 6.1.6.2.1 - 6.1.6.2.3 и 6.1.6.3;
 пункт 6.1.6.8 и особое примечание к нему исключить;
 в пункте 6.1.8.10 коды ТН ВЭД "9015 10 900 0; 9013 80 910 0"
заменить кодами ТН ВЭД "9015 10 100 0; 9015 10 900 0;
9031 80 340 0; 9031 80 910 0";
 в пункте 6.3.4.1 коды ТН ВЭД "2842 90 100 0; 2830 20 000 0"
заменить кодами ТН ВЭД "2830 20 000 0; 2842 90 100 0";
 в пункте 6.5.3 слово "Магнитометры" после пункта 6.5.3.5
исключить;
 пункт 6.5.3.6 изложить в следующей редакции:
 "6.5.3.6. Магнитометры - нет";
 в пункте 7.1.2:
 в подпункте "а":
 слова "воздействия 1 g на протяжении периода в 3 месяца"
заменить словами "приложения нормальной силы тяжести (1 g) на
протяжении периода в 1 месяц";
 слова "В° в час" заменить словами "градуса в час";
 слова "ниже 10 g" заменить словами "ниже 12 g";
 слова "от 10 g" заменить словами "от 12 g";
 в последнем абзаце слово "или" исключить;
 включить в пункт новый подпункт "б" следующего содержания:
 "б) угловой случайный дрейф, равный или
 меньше (лучше) 0,0035 градуса, деленного
 на корень квадратный из времени в часах;
 или
 Примечание.
 По подпункту "б" пункта 7.1.2 не
 контролируются гироскопы с вращающейся
 массой (гироскопы с вращающейся массой -
 гироскопы, использующие непрерывно
 вращающуюся массу для определения
 углового перемещения)
 Техническое примечание.
 Для целей подпункта "б" пункта 7.1.2
 угловой случайный дрейф - угловое
 отклонение, накопленное со временем, в
 результате белого шума на угловой частоте
 (стандарт IEEE STD 528-2001)";
 подпункт "б" считать подпунктом "в";
 в пункте 7.1.3 слова "навигационные системы (ИНС)" заменить
словом "системы";
 в пункте 7.1.3.1 после слова "системы" включить слово "(ИНС)",
после слова "передвижения" включить слова ", судов (надводных или
подводных)";
 пункт 7.1.3 дополнить пунктом 7.1.3.3 следующего содержания:
"7.1.3.3. Инерциальное оборудование для указания 9014 10 900 0;
 азимута, курса или севера, имеющее любую 9014 20 900 0;
 из следующих характеристик, а также 9014 80 000 0;
 специально разработанные компоненты для 9014 90 900 0";
 него:
 а) разработанное для указания азимута,
 курса или севера со среднеквадратичной
 погрешностью, равной 6 угловым минутам
 или менее (лучше) от действующего
 значения на 45 градусах широты; или
 б) разработанное с уровнем ударной
 нагрузки до нерабочего состояния в 900 g и
 более при продолжительности в 1 мс или
 более
 примечания к пункту дополнить пунктом 3 следующего содержания:
 "3. По подпункту "а" пункта 7.1.3.3 не
 контролируются теодолитовые системы,
 включающие инерциальное оборудование,
 специально разработанные для гражданских
 исследовательских целей";
 пункт 7.1.7 исключить;
 в пунктах 8.1.2.1.3 и 8.1.2.3 коды ТН ВЭД "8544 70 000 0;
9001 10; 7326 90 800 0" заменить кодами ТН ВЭД "7326 90 800 0;
8544 70 000 0; 9001 10";
 в пункте 8.1.2.8, подпункте "б" пункта 8.1.2.9 и в примечании
к нему слова ", управляемого встроенной программой" исключить;
 в пункте 8.1.2.15.2.2 коды ТН ВЭД "8501 34 990 0;
8501 34 500 0" заменить кодами ТН ВЭД "8501 34 500 0;
8501 34 990 0":
 пункт 9.1.1 изложить в следующей редакции:
"9.1.1. Газотурбинные авиационные двигатели, 8411 11 900 0;
 имеющие любое из следующего: 8411 81;
 8411 82";
 а) использующие любые технологии,
 контролируемые по пункту 9.5.3.1; или
 Примечание.
 По подпункту "а" пункта 9.1.1 не
 контролируются газотурбинные
 авиационные двигатели, удовлетворяющие
 всему нижеследующему:
 а) сертифицированные гражданским
 авиационным ведомством государства,
 являющегося участником Вассенаарских
 договоренностей по экспортному контролю
 за обычными вооружениями, товарами и
 технологиями двойного применения (ВД); и
 б) предназначенные для полета невоенного
 пилотируемого летательного аппарата, для
 которого государством, являющимся
 участником ВД, был выдан сертификат
 гражданского типа
 б) разработанные для полета летательного
 аппарата, предназначенного для
 перемещения с крейсерской скоростью,
 равной 1 М или выше, в течение более
 30 мин
 пункт 2 особых примечаний к пункту 9.5.2 дополнить словами
"см. пункт 1.5.2.6".
 2. В разделе 2:
 в пункте 3.2.1 слова "управляемые встроенной программой и"
исключить;
 в пункте 4.4.1 и подпункте "б" пункта 4.5.1 цифры "75 000"
заменить цифрами "190 000";
 в пункт 6.1.5 включить новый пункт 6.1.5.1 следующего
содержания:
"6.1.5.1. Магнитометры, использующие технологии 9015 80 110 0;
 оптической накачки или ядерной прецессии 9015 80 930 0";
 (протонной/Оверхаузера), имеющие
 среднеквадратичный уровень шума
 (чувствительность) меньше (лучше) 2 пТ,
 деленных на корень квадратный из частоты в
 герцах;
 в пункте 6.1.5.1:
 код ТН ВЭД "9015 80 930 0" заменить кодами ТН ВЭД
"9015 80 110 0; 9015 80 930 0";
 в примечании к пункту цифры "6.1.5.1" заменить цифрами
"6.1.5.2";
 считать пункт 6.1.5.1 пунктом 6.1.5.2;
 пункт 6.1.5.2 исключить;
 в примечании к пунктам 6.1.5.1 и 6.1.5.2 слова "По пунктам
6.1.5.1 и 6.1.5.2" заменить словами "По пункту 6.1.5";
 в пункте 8.1.2.2 слова "управляемого встроенной программой,"
исключить.
 3. В разделе 3 категорию 4 и ее пункты изложить в следующей
редакции:
 "КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ
 ТЕХНИКА - нет".
 4. В разделах 1-3:
 в пунктах 1.1.2.1 и 1.1.2.2.1 раздела 1, пунктах 1.1.1.1 и
1.1.1.2.1 раздела 2 и в пункте 1.1.1 раздела 3 код ТН ВЭД
"3926 90 910 0" заменить кодом ТН ВЭД "3926 90 910 9";
 в пункте 6.1.1.1.2.1:
 подпункты "а" и "б" изложить в следующей редакции:
 "а) включающие непрерывные гибкие 9014 80 000 0;
 чувствительные элементы; 9015 80 110 0;
 9015 80 930 0
 б) включающие гибкие сборки дискретных 9014 80 000 0;
 чувствительных элементов с диаметром или 9015 80 110 0;
 длиной менее 20 мм и с расстоянием между 9015 80 930 0
 элементами менее 20 мм;
 в) имеющие любые из следующих 9014 80 000 0;
 чувствительных элементов: 9015 80 930 0";
 волоконно-оптические;
 пьезоэлектрические из полимерных пленок,
 отличные от поливинилиденфторида
 (PVDF) и его сополимеров {P(VDF-TrFE) и
 P(VDF-TFE)} ({поли(винилиденфторид-
 трифторэтилен) и поли(винилиденфторид-
 тетрафторэтилен)}); или
 гибкие пьезоэлектрические из
 композиционных материалов;
 подпункты "в" и "г" считать соответственно подпунктами "г" и
"д";
 дополнить пункт после примечания техническими примечаниями
(новыми для раздела 1) следующего содержания:
 "Технические примечания:
 1. Пьезоэлектрические чувствительные
 элементы из полимерной пленки состоят из
 поляризованной полимерной пленки,
 которая натянута на несущую конструкцию
 или катушку (сердечник) и прикреплена к
 ним
 2. Гибкие пьезоэлектрические
 чувствительные элементы из
 композиционного материала состоят из
 пьезоэлектрических керамических частиц
 или волокон, распределенных в
 электроизоляционном акустически
 прозрачном резиновом, полимерном или
 эпоксидном связующем, которое является
 неотъемлемой частью чувствительного
 элемента;";
 в пункте 6.1.1.1.2.2:
 подпункт "а" дополнить словами ", или имеющие возможность
модификации для расположения гидрофонных групп с шагом менее
12,5 м";
 в техническом примечании к подпункту "б" слово "подпункте"
заменить словами "подпунктах "а" и";
 в пункте 9.5.3.1.1 слова "напряжении 200 Мпа" заменить словами
"напряжении 200 МПа".
 5. В разделе 4:
 в пункте 12.2.1.1.2 код ТН ВЭД "9032 89 900 00" заменить кодом
ТН ВЭД "9032 89 900 0";
 в пункте 18.1.1.1 код ТН ВЭД "8421 39 300 0" заменить кодом
ТН ВЭД "842139 300 9".
 6. В примечаниях к Списку:
 пункт 1 дополнить абзацем следующего содержания:
 "Оборудование, подпадающее под контроль по пунктам разделов
1-3 настоящего Списка, но специально разработанное для конечного
использования в медицинских целях, не контролируется.";
 в пункте 4:
 слова "АРП - асинхронный режим передачи (категория 5)."
исключить;
 термин "Асинхронный режим передачи" и его определение
исключить;
 в термине "Распределяемые Международным союзом электросвязи":
 слово "Радиоуставом" заменить словами "текущей редакцией
Радиоустава";
 слова "(издание 1998 года)" исключить;
 слова "категории 3 и" заменить словами "категория 3 и часть 1
категории";
 термин "Управляемое встроенной программой", его определение и
техническое примечание к нему исключить.
 ____________
Указ Президента Российской Федерации от 01.12.2005 № 1383
Указ Президента Российской Федерации от 01.12.2005 № 1385