1. Выращивание тонкого подзатворного диэлектрика.
|
|
2. Создание p+-охраны.
|
|
3. Локальное окисление.
|
|
4. Формирование поликремниевого затвора.
|
|
5. Ионное n+-легирование через тонкий диэлектрик.
|
|
6. Нанесение ФСС и вскрытие контактных окон.
|
|
7. Металлизация алюминием.
|
|
8. Пассивация.
|
|