Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок

Страница 5

17.Molecular beat epitaxial growth of InAs/Yano M., Nogami M., Matsuchima Y., Kimata M.- Japan. J. Appl. Phys., 1977, v. 16, N 12, p. 2131-2137.

18.Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп/Пер. с англ. под ред. Б. И. Болтаксаю М.: Мир, 1967. 477 с.

19.Горюнова Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Советское радио, 1968. 267 с.

20.Хилсум К., Роуз-Инс А. Полупроволники типа А3В5/Пер. с англ. М.:ИЛ,1963.324 с.

21.Разуваев Г.А., Грибов Б.Г., Домрачев Г.А., Саламатин Б.А. Металлоорганические соединения. М.:Наука, 1972. 479 с.

22.Гидриды, галиды, МОС особой чистоты. М.: Наука,1976.143 с.

23.Осаждение пленок и покрытий разложением МОС. М.: Наука, 1981. 322 с.

24.Активируемые процессы технологии микроэлектроники: Межвузовский тематический научный сборник. Вып. 1. Таганрог, 1975.

25.Корзо В.Ф. и др. Пленки из элементорганических соединений в радиоэлектронике. М.:Энергия, 1973.