3.6 Расчёт разделительных и
блокировочных ёмкостей………………………………………...…...............24
4
Заключение…………………………………………….…………26
5
Приложение А……………………………………………………27
6
Приложение Б…………………………………………………….29
Список
использованных источников……………………………..30
1.
Введение
В данной
курсовой работе требуется рассчитать усилитель мощности для 1-12 каналов TV. Этот усилитель предназначен для усиления сигнала на передающей
станции, что необходимо для нормальной работы TV-приёмника,
которого обслуживает эта станция. Так как мощность у него средняя(5 Вт), то
применяется он соответственно на небольшие расстояния(в районе деревни,
небольшого города).В качестве источника усиливаемого сигнала может служить
видеомагнитофон, сигнал принятый антенной ДМВ и преобразованный в МВ диапазон.
Так как усиливаемый сигнал несёт информацию об изображении, то для получения
хорошего качества изображения на TV-приёмнике на
усилитель налагаются следующие требования: равномерное усиление во всём
диапазоне частот и при этом иметь достаточную мощность и требуемый коэффициент
усиления. С экономической точки зрения должен обладать максимальным КПД.
Достижение
требуемой мощности даёт использование схемы каскада со сложением напряжения.
Для коррекции АЧХ усилителя используются разные приёмы: введение отрицательных
обратных связей, применение межкаскадных корректирующих цепей. Так как
проектируемый усилитель является усилителем мощности то введение ОС влечёт за
собой потерю мощности в цепях ОС что снижает КПД и следовательно применять её в
данном усилителе не целесообразно. Применение межкаскадных корректирующих
цепей(МКЦ) значительно повышает КПД. В данном усилителе используется МКЦ 3-го
порядка, так как она обладает хорошими частотными свойствами.
2. Техническое задание
Усилитель
должен отвечать следующим требованиям:
1.
Рабочая полоса частот: 49-230 МГц
2.
Линейные искажения
в области нижних частот не более 2 дБ
в области
верхних частот не более 2 дБ
3.
Коэффициент усиления 25 дБ
4.
Мощность выходного сигнала Pвых=5 Вт
5.
Сопротивление источника сигнала и нагрузки Rг=Rн=75 Ом
3.
Расчётная часть
3.1
Определение числа каскадов.
При выборе
числа каскадов примем во внимание то, что у мощного усилителя один каскад с
общим эмиттером позволяет получать усиление до 6 дБ, а так как нужно получить
15 дБ оптимальное число каскадов данного усилителя равно трём, тогда, в общем,
усилитель будет иметь коэффициент усилния 18 дБ (запас 3 дБ).
3.2
Распределение линейных искажений в
области
ВЧ
Расчёт
усилителя будем проводить исходя из того, что искажения распределены между
каскадами равномерно, а так как всего три каскада и общая неравномерность
должна быть не больше 2 дБ, то на каждый каскад приходится по 0,7 дБ.
3.3
Расчёт выходного каскада
3.3.1
Выбор рабочей точки
Для расчёта
рабочей точки следует найти исходные параметры Iвых и Uвых, которые определяются по формулам:
Для каскада
со сложением напряжений будут справедливы те же формулы , но нагрузка ощущаемая
каждым транзистором будет составлять половину Rн
и мощность каждого транзистора будет равна половине исходной мощности. Тогда
исходные параметры примут следующие значения:
Выберем, по
какой схеме будет выполнен каскад: с дроссельной нагрузкой, резистивной
нагрузкой или по схеме со сложением напряжений. Рассмотрим эти схемы и выберем
ту, которую наиболее целесообразно применить.
А) Расчёт
каскада с резистивной нагрузкой:
Схема каскада
представлена на рисунке 3.3.1
Рисунок
3.3.1 Схема каскада с резистивной нагрузкой
где Uост – остаточное напряжение на коллекторе и при
расчёте берут равным Uост=(1~3)В. Тогда:
Напряжение
питания выбирается равным плюс
напряжение на :
Построим нагрузочные прямые по постоянному и переменному току. Они приведены на
рисунке 3.3.2.
. Рисунок 3.3.2. Нагрузочные прямые по
постоянному и переменному току
Произведём
расчет мощностей: потребляемой и рассеиваемой на коллекторе, используя
следующие формулы:
Б) Расчёт
дроссельного каскада:
Схема
дросеельного каскада представлена на рисунке 3.3.3.
Рисунок 3.3.3. Схема дроссельного каскада.
Построим нагрузочные прямые по постоянному и переменному току. Они представлены
на рисунке 3.3.4.
Рисунок 3.3.4 – Нагрузочные
прямые по постоянному и переменному току.
Произведём расчёт мощности :
Каскад с
дроссельной нагрузкой имеет лучшие параметры по сравнению с каскадом с
резистивной нагрузкой. Это и меньшее напряжение питания, и меньшая рассеиваемая
транзистором мощность, однако, не удается найти транзистор который бы выдавал
необходимую на нагрузку мощность (по заданию 5 Вт) в заданной полосе частот
(49-230 МГц).Поэтому рассчитаем каскад со сложением напряжений. В схеме со
сложением напряжений, мощности, выдаваемые двумя транзисторами, складываются на
нагрузке. То есть каждый транзистор должен отдавать лишь половину необходимой
на нагрузке мощности.
В) Расчёт
каскада со сложением напряжений:
Схема каскада
со сложением напряжений представлена на рисунке 3.3.5.
Рисунок
3.3.5. Схема каскада со сложением напряжений.
Построим нагрузочные прямые по постоянному и переменному току. Они представлены
на рисунке 3.3.6.
Рисунок 3.3.6 – Нагрузочные прямые по
постоянному и переменному току.
Произведём
расчёт мощности :
Для удобства
сравнения каскадов составим таблицу в которую занесем напряжение питания
каскадов, потребляемую и рассеиваемую ими мощности, а так же напряжение
коллектор-эммитер и ток коллектора.
Табл.
3.3.1 характеристики каскадов
Анализируя
полученные результаты представленные в таблице 3.3.1 можно прийти к выводу, что
целесообразней использовать схему каскада со сложением напряжений, так как
значительно снижаются потребляемая мощность и величина питающего напряжения. Так
же выбор каскада со сложением напряжений обусловлен большой полосой
пропускания, по заданию от 49МГц до 230МГц, и достаточно большой выходной
мощностью – 5 Вт. При выборе другого каскада, резестивного или дроссельного,
возникают проблемы с выбором транзистора, тогда как каскад со сложением
напряжений позволяет достич заданные требования.
3.3.2 Выбор транзистора
Выбор
транзистора осуществляется с учётом следующих предельных параметров:
1.
граничной частоты усиления транзистора по току в схеме с ОЭ
4.
предельной мощности, рассеиваемой на коллекторе
.
Этим
требованиям полностью соответствует транзистор КТ934Б. Его основные технические
характеристики приведены ниже.[1]
Электрические
параметры:
1.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ МГц;
2.
Постоянная времени цепи обратной связи при В
пс;
3.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ;
4.
Ёмкость коллекторного перехода при В
пФ;
5.
Индуктивность вывода базы нГн;
6.
Индуктивность вывода эмиттера нГн.
Предельные
эксплуатационные данные:
1.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер В;
2.
Постоянный ток коллектора А;
3.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Вт;
3.3.3
Расчёт эквивалентной схемы транзистора
Существует
много разных моделей транзистора. В данной работе произведён расчёт моделей: схемы
Джиаколетто и однонаправленной модели на ВЧ.
В
соответствии с [2, 3,], приведенные ниже соотношения для расчета усилительных
каскадов основаны на использовании эквивалентной схемы замещения транзистора
приведенной на рисунке 3.3.7, либо на использовании его однонаправленной модели
[2, 3] приведенной на рисунке 3.3.8
А) Расчёт
схемы Джиаколетто:
Схема
Джиаколетто представлена на рисунке 3.3.7.
Рисунок
3.3.7 Схема Джиаколетто.
Найдем при помощи
постоянной времени цепи обратной связи сопротивление базового перехода по
формуле:
(2.9)
При чём и доложны быть измерены при
одном напряжении Uкэ. А так как справочные данные приведены при разных
напряжниях, необходимо воспользоваться формулой перехода, котоая позволяет
вычислить при любом значении
напряжения Uкэ:
(2.10)
в нашем случае:
Подставим полученное значение в формулу :
, тогда
Найдем значения остальных элементов схемы:
, где (2.11)
– сопротивление
эмиттеного перехода транзистора
Тогда
Емкость эмиттерного перехода:
Выходное сопртивление транзистора:
(2.12)
(2.13)
Б) Расчёт
однонаправленной модели на ВЧ:
Схема
однонаправленной модели на ВЧ представлена на рисунке 3.3.8 Описание такой
модели можно найти в [3].
Рисунок 3.3.8
однонаправленная модель транзистора
Параметры эквивалентной схемы
рассчитываются по приведённым ниже формулам.
Входная индуктивность:
,
где –индуктивности
выводов базы и эмиттера, которые берутся из справочных данных.
Входное сопротивление:
,
(3.3.4)
Выходное сопротивление имеет
такое же значение, как и в схеме Джиаколетто:
.
Выходная ёмкость- это значение
ёмкости вычисленное в
рабочей точке:
.
3.3.4
Расчёт цепей термостабилизации
При расчёте
цепей термостабилизации нужно для начала выбрать вариант схемы. Существует
несколько вариантов схем термостабилизации: пассивная коллекторная, активная
коллекторная и эмиттерная. Их использование зависит от мощности каскада и от
того, насколько жёсткие требования к термостабильности. Рассмотрим эти схемы.
3.3.4.1 Эмиттерная термостабилизация
Эмитерная
стабилизация применяется в основном в маломощных каскадах и является достачно
простой в расчёте и при этом эффективной. Схема эмиттерной термостабилизации
приведена на рисунке 3.3.9. Метод расчёта и анализа эмиттерной
термостабилизации подробно описан в [4].
Рисунок 3.3.9
эммитерная термостабилизация
Расчёт
производится по следующей схеме:
1.Выбираются
напряжение эмиттера и ток делителя , а также напряжение
питания ;
2. Затем
рассчитываются .
Напряжение
эмиттера выбирается равным . Ток делителя выбирается равным , где - базовый ток транзистора и
вычисляется по формуле:
мА.
А
Учитывая то,
что в коллекторной цепи отсутствует резистор, то напряжение питания
рассчитывается по формуле В.
Расчёт величин резисторов производится по следующим формулам:
Ом;
Ом;
Ом;
3.3.4.2 Активная коллекторная термостабилизация
Активная
коллекторная термостабилизация используется в мощных каскадах и является
достаточно эффективной, её схема представлена на рисунке 3.3.10. Её описание и
расчёт можно найти в [5].
Рисунок 3.3.10
Схема активной коллекторной термостабилизации.
В качестве VT1 возьмём КТ814А. Выбираем падение напряжения на резисторе из условия (пусть В), тогда . Затем производим
следующий расчёт:
;
(3.3.11)
;
(3.3.12)
; (3.3.13)
;
(3.3.14)
,
(3.3.15)
где – статический коэффициент
передачи тока в схеме с ОБ транзистора КТ814;
;
(3.3.16)
;
(3.3.17)
.
(3.3.18)
Получаем
следующие значения:
Ом;
мА;
В;
А;
А;
Ом;
Ом.
Величина
индуктивности дросселя выбирается таким образом, чтобы переменная составляющая
тока не заземлялась через источник питания, а величина блокировочной ёмкости –
таким образом, чтобы коллектор транзистора VT1 по
переменному току был заземлён.
3.3.4.3 Пассивная коллекторная термостабилизация
Наиболее экономичной и простейшей из всех схем
термостабилизации является коллекторная стабилизация. Стабилизация положения
точки покоя осуществляется отрицательной параллельной обратной связью по
напряжению, снимаемой с коллектора транзистора. Схема коллекторной стабилизации
представлена на рисунке 3.3.11.
Рассчитаем
основные элементы схемы по следующим формулам:
Выберем напряжение URк=5В и рассчитаем значение сопротивления Rк.
Зная базовый ток рассчитаем сопротивление Rб
Определим
рассеиваемую мощность на резисторе Rк
Как было сказано выше, эмиттерную термостабилизацию в мощных каскадах применять
“невыгодно” так как на резисторе, включённом в цепь эмиттера, расходуется
большая мощность. В нашем случае лучше выбрать активную коллекторную
стабилизацию.
3.4
Расчёт входного каскада
3.4.1
Выбор рабочей точки
При расчёте
режима предоконечного каскада условимся, что питание всех каскадов
осуществляется от одного источника напряжения с номинальным значением Eп. Так как Eп=Uк0, то соответственно Uк0
во всех каскадах берётся одинаковое, то есть Uк0(предоконечного
к.)=Uк0(выходного к). Мощность,
генерируемая предоконечным каскадом должна быть в коэффициент усиления
выходного каскада вместе с МКЦ(S210) раз
меньше, следовательно, и Iк0, будет во
столько же раз меньше. Исходя из вышесказанного координаты рабочей точки примут
следующие значения: Uк0= 15 В; Iко=0.4/2.058= 0.19 А. Мощность, рассеиваемая на
коллекторе Pк= Uк0
Iк0=2.85 Вт.
3.4.2 Выбор транзистора
Выбор
транзистора был произведён в пункте 3.3.5.2 Выбор входного транзистора
осуществляется в соответствии с требованиями, приведенными в пункте 3.3.2. Этим
требованиям отвечает транзистор КТ913А. Его основные технические характеристики
приведены ниже.[1]
Электрические
параметры:
1.
граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ МГц;
2.
Постоянная времени цепи обратной связи пс;
3.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ;
4.
Ёмкость коллекторного перехода при В
пФ;
5.
Индуктивность вывода базы нГн;
6.
Индуктивность вывода эмиттера нГн.
Предельные
эксплуатационные данные:
1.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер В;
2.
Постоянный ток коллектора А;
3.4.3
Расчёт эквивалентной схемы транзистора
Эквивалентная
схема имеет тот же вид, что и схема представленная на рисунке 3.3. Расчёт её
элементов производится по формулам, приведённым в пункте 3.3.3.
нГн;
пФ;
Ом
Ом;
Ом;
пФ.
3.4.4
Расчёт цепи термостабилизации
Для входного
каскада также выбрана активная коллекторная термостабилизация.
В качестве VT1 возьмём КТ814А. Выбираем падение напряжения на резисторе из условия (пусть В), тогда . Затем производим
следующий расчёт:
;
(3.3.11)
;
(3.3.12)
;
(3.3.13)
;
(3.3.14)
,
(3.3.15)
где – статический коэффициент
передачи тока в схеме с ОБ транзистора КТ814;
;
(3.3.16)
;
(3.3.17)
.
(3.3.18)
Получаем
следующие значения:
Ом;
мА;
В;
А;
А;
Ом;
кОм
3.5 Расчёт корректирующих цепей
3.5.1
Расчёт выходной корректирующей цепи
Расчёт всех
КЦ производится в соответствии с методикой описанной в [2]. Схема выходной
корректирующей цепи представлена на рисунке 3.12
Рисунок 3.3.12
Схема выходной корректирующей цепи
Выходную
корректирующую цепь можно рассчитать с использованием методики Фано, которая
подробно описана в методическом пособии [2]. Зная Свых и fв можно рассчитать
элементы L1 и C1 .
Найдём – выходное сопротивление
транзистора нормированное относительно и
.
(3.5.1)
.
Теперь по
таблице приведённой в [2] найдём ближайшее к рассчитанному значение и выберем соответствующие
ему нормированные величины элементов КЦ и
.
Найдём
истинные значения элементов по формулам:
;
(3.5.2)
;
(3.5.3)
. Гн;
(3.5.4)
Ф;
3.5.2
Расчёт межкаскадной КЦ
В данном
усилителе имеются две МКЦ: между входным каскадом и
каскадом со сложением напряжений и на входе усилителя. Это корректирующие цепи
третьеого порядка. Цепь такого вида обеспечивает реализацию усилительного
каскада с наклоном АЧХ, лежащим в пределах необходимых отклонений (повышение
или понижение) с заданными частотными искажениями [2].
Расчёт
межкаскадной корректирующей цепи, находящейся между входным каскадом и каскадом
со сложением напряжений:
Принципиальная
схема МКЦ представлена на рисунке 3.3.13
Рисунок 3.3.13.
Межкаскадная корректирующая цепь третьего порядка
При расчёте
используются однонаправленные модели на ВЧ входного и предоконечного
транзисторов. В схеме со сложением напряжений оба транзистора выбираются
одинаковыми. Возникает задача: выбор предоконечного
транзистора. Обычно его выбирают ориентировочно, и если полученные результаты
будут удовлетворять его оставляют.
Для нашего
случая возьмём транзистор КТ913А (VT1),
который имеет следующие эквивалентные параметры:
Свых=5.5 пФ
Rвых=55 Ом
И транзистор
КТ 934Б (VT2), имеющий следующие эквивалентные
параметры:
Lвх=3.8 нГн
Rвх=0.366 Ом
При расчёте будут использоваться коэффициенты: , , , значения которых берутся
исходя из заданной неравномерности АЧХ. Таблица коэффициентов приведена в
методическом пособии [2] В нашем случае они соответственно
равны: 2.31, 1.88, 1.67. Расчет заключается в
нахождении нормированных значений: и подставлении их в
соответствующие формулы, из которых находятся нормированные значения элементов
и преобразуются в действительные значения.
Итак,
произведём расчёт, используя следующие формулы:
,
,
= - нормированные значения ,
, .
Подставим исходные параметры и в результате получим:
Зная это, рассчитаем следующие
коэффициенты:
;
; (2.32)
;
получим:
Отсюда найдем нормированные
значения , , и :
где ; (2.33)
;
;
.
При расчете получим:
и в результате:
Рассчитаем дополнительные
параметры:
(2.34)
(2.35)
где S210- коэффициент передачи оконечного каскада.
Для выравнивания АЧХ в
области нижних частот используется резистор ,
рассчитываемый по формуле:
(2.36)
Найдем истинные значения
остальных элементов по формулам:
, , , (2.37)
3.5.3 Расчёт входной КЦ
Схема входной
КЦ представлена на рисунке 3.5.14. Её расчёт, а также табличные значения
аналогичны описанным в пункте 3.5.1.
Рисунок 3.5.14
входная коректирующая цепь
Расчитаем
входную коректирующую цепь:
,
,
= - нормированные значения ,
, .
Подставим исходные параметры и в результате получим:
Зная это, рассчитаем следующие
коэффициенты:
;
; (2.32)
;
получим:
Отсюда найдем нормированные
значения , , и :
где ; (2.33)
;
;
.
При расчете получим:
и в результате:
Рассчитаем дополнительные
параметры:
(2.34)
(2.35)
где S210- коэффициент передачи оконечного каскада.
Для выравнивания АЧХ в
области нижних частот используется резистор ,
рассчитываемый по формуле:
(2.36)
Найдем истинные значения
остальных элементов по формулам:
, , , (2.37)
На этом
расчёт входного каскада закончен.
3.6
Расчёт разделительных и блокировочных ёмкостей
Дроссель в
коллекторной цепи каскадов ставится для того, чтобы выход транзистора по
переменному току не был заземлен. Его величина выбирается исходя из условия:
.
(3.6.3)
мкГн.
Сопротивление
и емкость обратной связи, стоящие в цепи базы выходного транзистора расчитаем
по формулам:
Подставив
значения получим:
Разделительные емкости.
Устройство имеет 4 реактивных элемента, вносящих
частотные искажения на низких частотах. Эти элементы – разделительные емкости.
Каждая из этих емкостей по техническому заданию должна вносить не более 0.75 дБ
частотных искажений. Номинал каждой емкости с учетом заданных искажений и
обвязывающих сопротивлений рассчитывается по формуле: (1.38)
где
Yн –
заданные
искажения;
R1 и R2 – обвязывающие сопротивления,
Ом; wн – нижняя частота, рад/сек.
Приведем
искажения, заданные в
децибелах: , (1.39)
где
М – частотные искажения, приходящиеся на каскад, Дб. Тогда
Номинал
разделительной емкости стоящей в цепи коллектора транзистора с общим эмиттером
в каскаде со сложением напряжений:
Номинал разделительной емкости стоящей в цепи коллектора входного
транзистора:
Номинал разделительной емкости входного каскада:
Емкость Сбл найдём из условия:
çXСблç << Rк, гдеRк – сопротивление стоящее в цепи коллектора транзистора
активной коллекторной термостабилизации представленной на рис.3.3.10.
êХсê=ê1/i×w×Сê=1/w×С
С=1/êХсê×w
Для расчета Сбл возьмем êХсê=0.43 что 500
раз меньше Rк. В итоге
получим:
С=1/0.43×2×p×230×106=1.6×10-9
Сбл=1.6 нФ
4. Заключение
Рассчитанный
усилитель имеет следующие технические характеристики:
1. Рабочая
полоса частот: 49-230 МГц
2. Линейные
искажения
в области
нижних частот не более 2 дБ
в области
верхних частот не более 2 дБ
3. Коэффициент усиления 30дБ с подъёмом области верхних частот 6 дБ
4. Питание однополярное, Eп=16 В
5. Диапазон рабочих температур:
от +10 до +60 градусов Цельсия
Усилитель рассчитан на нагрузку Rн=75 Ом
Усилитель
имеет запас по усилению 5дБ, это нужно для того, чтобы в случае ухудшения, в
силу каких либо причин, параметров отдельных элементов коэффициент передачи
усилителя не опускался ниже заданного уровня, определённого техническим
заданием.
Поз.
Обозна-
чение
Наименование
Кол.
Примечание
Транзисторы
VT1
КТ913А
1
VT2
КТ814А
1
VT3
КТ934Б
1
VT4
КТ814А
1
VT5
КТ934Б
1
VT6
КТ814А
1
Конденсаторы
С1
КД-2-0.1нФ ±5% ОЖО.460.203 ТУ
1
С2
КД-2-20пФ ±5% ОЖО.460.203 ТУ
1
С3
КД-2-16пФ ±5% ОЖО.460.203 ТУ
1
С4, С8,
С10,С12
КМ-6-2.2нФ ±5% ОЖО.460.203 ТУ
4
С5
КД-2-200пФ ±5% ОЖО.460.203 ТУ
1
С6
КД-2-22пФ ±5% ОЖО.460.203 ТУ
1
С7
КД-2-7.6пФ ±5% ОЖО.460.203 ТУ
1
С9
КД-2-110пФ ±5% ОЖО.460.203 ТУ
1
С11
КМ-6-16пФ ±5% ОЖО.460.203 ТУ
1
С13
КД-2-100пФ ±5% ОЖО.460.203 ТУ
1
С14
КМ-6-10пФ ±5% ОЖО.460.203 ТУ
1
Катушки индуктивности
L1
Индуктивность 25нГн ±5%
1
L2
Индуктивность 12нГн ±5%
1
L3
Индуктивность 50нГн ±5%
1
Др4- Др8
Индуктивность 25мкГн ±5%
5
РТФ
КП 468740.001 ПЗ
Лит
Масса
Масштаб
Изм
Лист
Nдокум.
Подп.
Дата
УCИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ
Выполнил
Далматов
ДЛЯ 1-12 КАНАЛОВ
Провер.
Титов А.А.
TV
Лист
Листов
ТУСУР РТФ
Перечень элементов
Кафедра РЗИ
гр. 148-3
Поз.
Обозна-
чение
Наименование
Кол.
Примечание
Резисторы
R1
МЛТ – 0.125 – 1.2 кОм ±10%ГОСТ7113-77
1
R2
МЛТ – 0.125 – 18 кОм ±10%ГОСТ7113-77
1
R3
МЛТ – 0.125 – 220 Ом ±10%ГОСТ7113-77
1
R4
МЛТ – 0.125 – 2.2 кОм ±10%ГОСТ7113-77
1
R5
МЛТ – 1 – 0.25 Ом ±10%ГОСТ7113-77
1
R6
МЛТ – 0.125 – 6 кОм ±10%ГОСТ7113-77
1
R7,R11
МЛТ – 0.125 – 160 Ом ±10%ГОСТ7113-77
2
R8,R12
МЛТ – 0.125 – 820Ом ±10%ГОСТ7113-77
2
R9,R13
МЛТ – 0.125 – 22 Ом ±10%ГОСТ7113-77
2
R10,R14
МЛТ – 1 – 2.5 Ом ±10%ГОСТ7113-77
2
РТФ
КП 468740.001 ПЗ
Лит
Масса
Масштаб
Изм
Лист
Nдокум.
Подп.
Дата
УCИЛИТЕЛЬ
МОЩНОСТИ
ОПОЛОСНЫЙ
Выполнил
Далматов
ДЛЯ 1-12 КАНАЛОВ
Провер.
Титов А.А.
TV
Лист
Листов
ТУСУР РТФ
Перечень элементов
Кафедра РЗИ
гр. 148-3
РТФ
КП 468740.001 Э3
Лит
Масса
Масштаб
Изм
Лист
Nдокум.
Подп.
Дата
УCИЛИТЕЛЬ
Выполнил
Далматов
1-12 КАНАЛОВ
Проверил
Титов А.А.
Лист
Листов
ТУСУР РТФ
Принципиальная
Кафедра РЗИ
схема
гр. 148-3
Список использованных источников
1 Справочник полупроводниковые
приборы /транзисторы средней и большой мощности. Под ред. А.В.Голомедова.
Издание третье. Москва 1995 г.