Прецизионные резисторы
Резистори належать до найбiльш поширених компонентiв радiоелектронноi апаратури. На них припадаi вiд 20 до 45%, тобто майже до половини загальноi кiлькостi усiх компонентiв електричних кiл. Вони заслужили це завдяки iх фiзичнiй властивостi - опору.
Прецизiйними i резистори пiдвищеноi точностi В±(0,05 ч 5)% i стабiльностi (ТксРМ10-4 1/ос), номiнальнi опори яких складають вiд 1 Ом до 1 МОм, гранична робоча напруга - не бiльше сотень вольт, дiапазон номiнальних потужностей розсiювання - вiд 0,05 до 2 Вт, частотний дiапазон - до одиниць мегагерц, а змiна опору до кiнця термiну служби - декiлька вiдсоткiв. Бiльше 40% вiдмови РЕА вiдбуваiться унаслiдок вiдмови резисторiв, тому актуальною залишаiться тема використання високоточних i надiйних прецизiйних резисторiв. Не дивлячись на високу вартiсть i технологiчну складнiсть виготовлення, вони незамiннi в багатьох точних пристроях, але про використання прецизiйних резисторiв йтиметься далi.
Прецизiйнi резистори можуть бути дротяними i недротяними (товстоплiвковi, тонкоплiвковi i композицiйнi). У обох випадках для забезпечення iх високоi точностi виконують технологiчну пiдгонку пiд заданий допуск номiнального опору. У першому випадку змiнюють число виткiв при намотуваннi, а в другому - юстують струмопровiдний елемент, наприклад, додатково нарiзуючи витки на каркасi. Щоб забезпечити високу стабiльнiсть прецизiйних резисторiв, використовують рiзнi методи. У недротяних резисторах зменшують перегрiв струмопровiдного шару, збiльшуючи поверхню тепловiддачi, резистори пiддають тривалому електротермотренуванню.
Очевидно що цi заходи не i найбiльш рацiональними, тому в даний час використовуiться лише обмежена кiлькiсть недротяних прецизiйних резисторiв: з ранiше випущених типiв - УЛРЖ (вуглецевi лакованi для вимiрювальноi технiки) i БЛП (боровуглецевi лакованi прецизiйнi) i якi випускаються в даний час С2-13, С2-14.
Як прецизiйнi резистори найчастiше використовують дротянi. РЗх виготовляють з дроту, що маi позитивний малий температурний коефiцiiнт питомого опору, вони не змiнюють своiх властивостей в процесi старiння i i стiйкими до дii навколишнього середовища.
Основними недолiками дротяних резисторiв i досить висока вартiсть, великi габарити i часто обмежений частотний дiапазон. Проте розвиток мiкрометалургii (отримання мiкродроту в склянiй iзоляцii) дозволив виготовляти дротянi резистори, розмiри яких подiбнi до розмiрiв прецизiйних недротяних резисторiв i навiть менше. В результатi ухвалення ряду конструктивних заходiв(зустрiчне намотування, намотування подвiйним дротом, застосування металевих каркасiв) паразитна iндуктивнiсть i iмнiсть дротяних резисторiв можуть бути зведенi до необхiдного мiнiмуму, а тим самим може бути забезпечена робота цих резисторiв в мегагерцевому дiапазонi. Дротянi прецизiйнi резистори i дуже точними i стабiльними (0.05%, <10ppm/В°c). Вони використовуються тiльки в дуже критичних схемах, таких як схеми пiдстроювання i прецизiйних аттенюатори. Типовi номiнали - вiд 0.1 Ом до 1.2 МОм.
Металоплiвковi резистори зазвичай вибирають для прецизiйних схем, де потрiбна висока точнiсть, низький температурний коефiцiiнт, i низький шум. Такi резистори зазвичай складаються з нiхрому, оксиду олова або нiтриду танталу i випускаються в герметичних або, опресованих фенольних корпусах. Типове iх використання в мостових схемах, RC- генераторах i активних фiльтрах. Початкова точнiсть варiюiться вiд 0.1 до 1%, температурний коефiцiiнт вiд 10 до 100 ppm/В°c. Стандартнi номiнали вiд 10 Ом до 301 КОм з кроком 2% (для допускiв 0.5% i 1%). Металоплiвковi маркiруються послiдовнiстю з чотирьох цифр (три перших - число, четверта - кiлькiсть нулiв. Приклад "4991" - 4990ом, "49R9" - 49.9 Ом).
У резисторi С5 встановлюються в мiкроелектроннiй апаратурi на друкованих платах i пiдкладках гiбридних РЖС. Резистори С5-5 звичайного i тропiчного виконання виконують намотуванням з кроком манганiiвого дроту на керамiчний каркас, який ущiльнюють кремнiйорганiчною гумою, фторопластовою стрiчкою i захищають металевим кожухом, а з торцiв - керамiчними шайбами. Дiаметр цих резисторiв вiд 6,15 до 11,2 мм, а довжина вiд 20 до 52 мм.
Резистори С5-15 прямокутноi форми, виконанi з мiкродроту в склянiй iзоляцii, мають найменшi розмiри (4 х 3, 6 х 2,5 мм), масу, номiнальну потужнiсть, вiбронаймiцнiшi i встановлюються на пiдкладках гiбридних РЖС. Резистори С5-22, призначенi для роботи в умовах високого вакууму, мають широкий дiапазон номiнальних опорiв i розмiри 8 х 8 х 3,6 мм. Резистори С5-25в дiаметром вiд 7 до 11 мм i завдовжки вiд 17 до 22,5 мм на вiдмiну вiд резисторiв С5-5 не мають металевого корпусу i захищенi вiд дii зовнiшнього середовища лише кампаундом. Тому верхня межа iх робочоi температури менша.
Резистори С5-41 (високочастотнi - до 1МГц) прямокутноi форми (27 х 10 х 3,5 мм) використовуються тiльки для друкованого монтажу. Резистори С5-53 i С5-54, що використовуються на частотах до 1кГц, мають дiаметр вiд 9 до 19 мм i довжину вiд 20 до 56 мм.
Вуглецевi прецизiйнi резистори - це тонкошаровi резистори, резистивний елемент якого являi собою плiвку пiролiтичного вуглецю на керамiчнiй пiдставцi, отриману розкладанням вуглеводнiв у вакуумi або в середовищi iнертного газу при високiй температурi. В даний час вуглецевi резистори i одним з найбiльш поширених типiв постiйних резисторiв. Вони широко застосовуються в електроннiй апаратурi завдяки високiй стабiльностi параметрiв, стiйкостi до iмпульсних перевантажень, низькому рiвню шумiв, невеликому температурному коефiцiiнту опору, малiй залежностi опору вiд напруги i частоти та щодо низькоi собiвартостi.
Вказанi особливостi вуглецевих резисторiв обумовленi властивостями пiролiтичного вуглецю - його термостiйкiстю, хiмiчною стiйкiстю, порiвняно великим питомим опором, можливiстю отримання провiдних шарiв з рiзним опором i низьким ТКР, причому за значенням ТКР пiролiтiчного вуглецю може бути значно понижений при введенi в нього певного вiдсоткового змiсту бору, що i використовуiться у виробництвi вуглецевих прецизiйних резисторiв.
Дуже тонкi шари пiролiтичного вуглецю, що використовуються для отримання високоомних резисторiв, мають порiвняно малу стабiльнiсть параметрiв, тому граничнi значення опорiв вуглецевих прецизiйних резисторiв складають 104-105 Ом.
Пiролiтичний вуглець отримують шляхом термiчного розкладання пари вуглеводнiв без доступу повiтря.
Найбiльш поширенi способи виготовлення композицiйних резисторiв заснованi на змiшуваннi провiдного компонента, наприклад графiту або сажi з органiчними чи неорганiчними сполуками, що iх повтАЩязують приклад фенольними або ефiрними смолами (епоксидною, глiфтальовою, кремнiйорганiчною), наповнювачiв пластифiкатором i затверджувачем. Такi системи називаються гетерогенними.
Сучасна технологiя виробництва складних гетерогенних систем дозволяi отримати резистори з широким дiапазоном значень опорiв вiд десяткiв ом до декiлькох мегаом.
Завдяки використанню композицiй отримують резистивнi елементи будь-якоi форми - у виглядi масивного тiла або плiвки, нанесеноi на iзоляцiйну пiдставку. Композицiйнi високоомнi резистори з великою площею поперечного перерiзу резистивного елемента надiйно працюють в рiзних режимах i умовах експлуатацii. Технологiя виготовлення композицiйних резисторiв не вимагаi складного устаткування i дорогих матерiалiв. Змiнюючи склад композицiй i умови iх обробки, можна варiювати опiр i значення ТКС резистивного елемента.
Невисока вартiсть композицiйних резисторiв, простота технологiчних процесiв виробництва сприяли iх широкому застосуванню. Композицiйнi матерiали успiшно використовуються для створення постiйних прецизiйних резисторiв i потенцiометрiв.
Як провiднi компоненти в композицiях використовуються в бiльшостi випадкiв порошкоподiбнi провiдники - сажа i графiт.
Сажа - продукт неповного згорання або термiчного розкладу вуглецевих речовин. Сировиною для отримання сажi слугують газоподiбнi, рiдкi i твердi вуглеводнi (природнi гази, антрацен, нафталiн i т. п.). Загальною технологiчною операцiiю у виробництвi сажi з рiзних початкових матерiалiв i спалювання сировини за допомогою пальникiв або форсунок в печах при обмеженому доступi повiтря або його термiчне розкладання за вiдсутностi повiтряного середовища.
Як провiдний компонент в композицiях також широко використовуiться графiт - алотропна форма вуглецю. До складу графiту входять зазвичай механiчнi домiшки рiзних мiнеральних речовин, а також летючi (С02, СН) та iн. У технологii виробництва композицiй застосовуються рiзнi види колоiдного графiту, який i продуктом термохiмiчноi переробки натурального графiту.
Параметри прецизiйних резисторiв, виготовлених за технологiiю BULK METAL FOIL, найбiльш близькi до параметрiв "iдеального резистора". Услiд за науковим вiдкриттям доктора ф. Зандмана в 1962г. вiдбулось створення i промислове впровадження технологii званоi BULK METAL FOIL(BMF). Сьогоднi ця технологiя дозволяi створювати резистори найвищоi точностi, стабiльностi i надiйностi, максимально наближенi до "iдеального опору". Запатентований метод з'iднання металевоi фольги i керамiчноi пiдкладки дозволяi отримувати резистор з параметрами, недоступними для iнших резисторiв, - дротяних, товсто- i тонкоплiвкових. Технологiя BMF маi три ключовi вiдмiнностi. Перше - висока температурна стабiльнiсть i стабiльнiсть пiд навантаженням. Друге - висока точнiсть отримуваного опору. РЖ, нарештi, третi - висока надiйнiсть. В порiвняннi з резисторами BMF, тонкоплiвковим резисторам властивий ряд недолiкiв. Наприклад, при механiчнiй або температурнiй деформацii частинки, що формують плiвку, розширюються. В процесi охолоджування вони не повертаються до початкового положення. Таким чином, кожна температурна дiя або цикл деформацii викликають змiну величини опору. Завдяки можливостям технологii BMF можна досягти високих параметрiв резисторiв: температурного коефiцiiнта опору(ТКR), коефiцiiнта потужностi опору, точнiсть виготовлення номiнального опору i його стабiльностi в часi пiд навантаженням, високоi швидкодii, низького рiвня шумiв, ТЕРМО-ЕДС, малiй залежностi опору вiд напруги. З складного комплексу зовнiшнiх дiючих чинникiв найбiльший вплив на резистори створюють клiматичнi i механiчнi навантаження. До них належать температура i вологiсть навколишнього середовища, атмосферний тиск, домiшки в навколишньому середовищi, бiологiчнi чинники, вiбрацiя, удари, прискорення, що постiйно дii, акустичнi шуми. Окрiм цього, при певних умовах можуть позначатися радiацiйнi дii (потiк нейтронiв, гамма-променi, сонячна радiацiя i т. п.) i чинники космiчного простору. Температура i вологiсть навколишнього середовища i найважливiшими чинниками, що впливають на надiйнiсть, строк дii i збереженiсть резисторiв. Тривала дiя пiдвищеноi температури викликаi старiння провiдникових, контактних i iзоляцiйних матерiалiв, внаслiдок чого параметри резисторiв зазнають необоротних змiн. Добре iлюструi залежнiсть потужностi електричного навантаження вiд температури навколишнього середовища графiк приведений нижче.
Залежнiсть допустимоi потужностi електричного навантаження вiд температури навколишнього середовища
Pt - допустима потужнiсть розсiяння, Вт; Pн - номiнальна потужнiсть розсiяння, Вт; t - температура навколишнього середовища В°С.
В умовах пiдвищеноi вологостi на електричнi параметри резисторiв впливаi як плiвка води, що утворюiться на поверхнi, так i внутрiшнi поглинання вологи. Пiдвищена вологiсть середовища викликаi корозiю металевих деталей i контактноi арматури резисторiв, погiршуi електричнi властивостi iзоляцii, сприяi розвитку грибковоi цвiлi.
Старiння резисторiв виявляiться головним чином в змiнi iх основного параметра тАУ опору. При цьому, як правило, вiдбуваються необоротнi змiни, викликанi електричним навантаженням, пiдвищеною температурою i пiдвищеною вологiстю навколишнього середовища.
Характер i iнтенсивнiсть старiння резисторiв залежить вiд iх конструкцii, умов експлуатацii i зберiгання. У експлуатацiйних умовах часто маi мiсце складне поiднання рiзних зовнiшнiх клiматичних i механiчних чинникiв, що дiють одночасно або в рiзнiй послiдовностi з рiзною iнтенсивнiстю.
Найбiльш стiйкими до дii чинникiв старiння i, дротянi резистори, а серед недротяних - тонкошаровi металодiелектричнi i металоксиднi. Менш стiйкими вважаються композицiйнi лакосажевi. Змiна опору цих резисторiв залежить вiд спiввiдношення мiж iнтенсивностями старiння рiзних компонентiв, якi можуть приводити як до зменшення (за рахунок структурних змiн провiдного елементу, видiлення з нього летючих речовин, твердiння захисного покриття), так i до збiльшення опору (за рахунок окислення провiдного матерiалу i перехiдних контактiв, абсорбцii газiв i пари з навколишнього середовища)1.
Стабiльнiсть товстоплiвкових композицiйних резисторiв визначаiться в основному стабiльнiстю дiелектричних матерiалiв, що входять до складу резистивноi композицii. У початковий перiод, як правило, вони мають негативний коефiцiiнт старiння, тобто iх опiр зменшуiться, при чому основна змiна вiдбуваiться в перших 300-500 годинах роботи. Надалi, до кiнця термiну служби, опiр збiльшуiться.
Старiння дротяних резисторiв визначаiться стiйкiстю до окислювальних процесiв дроту, i контактних вузлiв. У початковий перiод експлуатацii при невеликих теплових i електричних навантаженнях, коли процеси окислення сповiльненi, може мати мiсце зменшення опору, пов'язане iз зняттям внутрiшньоi напруги в дротi i змiною ii мiкроструктури. Зниження електричноi мiцностi емалевого покриття проводiв в результатi його термоокислювальноi деструкцii призводить до замикання виткiв намотування i зменшення опору резисторiв з багатошаровим намотуванням.
Збереженiсть дротяних резисторiв порiвняно висока. При зберiганнi в складських умовах протягом ряду рокiв у бiльшостi типiв дротяних резисторiв змiна опору не перевищуi 1-3 %.
Пiдвищена вологiсть викликаi, як правило, збiльшення опору резистора. Найбiльшi необоротнi змiни характернi для композицiйних (на органiчнiй зв'язцi) i вуглецевих резисторiв. У вологому середовищi вiдбуваiться набухання тих, якi повтАЩязують органiчнi сполуки; волога, упроваджуючись в структуру резистивного матерiалу недротяних резисторiв, порушуi контакти мiж мiжкристалiчними прошарками або зернами провiдного елементу, проникаi в контактнi вузли, викликаючи корозiю контактноi арматури.
Як мовилося ранiше прецизiйнi резистори, не дивлячись на свою вартiсть, дуже широко застосовуються в електронiцi i технiцi. В основному в точних вимiрювальних приладах, мiкросхемах, програмованих iнтегральних схемах, вiйськовiй, космiчнiй, авiацiйнiй, медичнiй апаратурi i так далi.
Застосування прецизiйних резисторiв як датчикiв струму в додатках середньоi i малоi потужностi як i ранiше i привабливим вибором через iх простоту i не високу вартiсть в порiвняннi з датчиками, заснованими на iнших принципах. Для вимiрювання струму застосовуються товстоплiвковi i дротянi резистори. У тонкоплiвкових i композицiйних резисторах дуже складно, за малим виключенням, досягти значень опору декiлька мОм, якi потрiбнi для вимiрювання струму в додатках середньоi потужностi6.
Типовий товстоплiвковий резистор потужнiстю 1 Вт виготовляють за стандартною технологiiю чип-резисторiв. Як провiдний матерiал використовують сплав срiбла з палладiiм або платиною. Як резистивний елемент при малому значеннi опору застосовують сплав 40% срiбла i 60% палладiя. Товстоплiвковi резистори мають дуже малий опiр i низьку вартiсть, але iх габарити обмеженi розмiром 2512, а потужнiсть розсiяння величиною 2 Вт. Величина потужностi розсiювання може бути збiльшена при використаннi конструкцii резистора з бiчними виводами. В цьому випадку резистор розмiром 1225 здатний розсiювати потужнiсть 3 Вт. Крiм того, така конструкцiя забезпечуi краще узгодження температурного коефiцiiнта резистора i плати, а також вищу надiйнiсть паяного з'iднання6. Дротянi резистори використовують, коли потрiбний наднизький опiр менше 1 мОм.
Далi розглянутi новинки ринку прецизiйних резисторiв за останнiй рiк, iх характеристики i областi застосування.Cеред новинок ринку прецизiйних резисторiв за останнiй рiк найбiльш значущими були вiдмiченi наступнi:
Компанiя Vishay Intertechnology Inc. запустила у виробництво нову серiю мiнiатюрних прецизiйних резисторiв Z202
Пропонованi вироби об'iднують в собi значення TCR - 0.05 ppm, PCR - 5 ppm i точнiсть виконання номiнала - 0,01%.Серiя резисторiв Z202 i мiнiатюрiзiрованим аналогом серii Z201.
Технiчнi характеристики:
- Величина TCR при температурi 0..60 В°C - 0,05 ppm/В°c; при температурi -55..125 В°C - 0,2 ppm/В°c - Точнiсть виконання номiнала - 0,01% - Величина PCR - 5 ppm при повному навантаженнi - Стiйкiсть до електростатичного розряду понад 25 кв - Дiапазон опорiв вiд 5 Ом до 30 ком - Розсiювана потужнiсть - 0,25 Вт при 70 В°C; 0,125 Вт при 125 В°C - Стабiльнiсть номiнала впродовж життiвого циклу - 0,01% - Вiдсутнiсть паразитних iмкостей i iндуктивностей - Величина струмових шумiв менш -40 дб - Що наводиться термо-ЕДС - менше 0,1 мкв/В°c - Змiна опору пiд впливом прикладеноi напруги - менше 0,1 ppm/в - Максимальна робоча напруга - 250 В
Областi застосування: прецизiйнi пiдсилювачi, високопрецизiйний iнструментарiй, медичне i вимiрювальне устаткування, стереообладнання класу high-end, електронно-променевi сканери i апаратура звукозапису, вiйськова технiка, аерокосмiчна технiка, добувне устаткування.
Прецизiйнi потужнi резистори компанii EBG. Резистори серii LXP. Корпус To-220.
Компанiя EBG - це мiжнародний лiдер у виробництвi електронних компонентiв, що спецiалiзуiться на випуску високотехнологiчних резистивних елементiв. Штаб-квартира EBG розташована в Австрii. Додатково компанiя маi в своiму розпорядженнi офiси продажiв в РДвропi, США i в Азii. Починаючи з 1977 року, компанiя EBG розробила i випускаi широкий спектр високоякiсних електронних компонентiв. Компанiя EBG не виготовляi продукцii масового попиту; компанiя спецiалiзуiться на випуску компонентiв високотехнологiчного спектру. Резистивнi елементи EBG пропонують такi характеристики, як дуже низький керований ТКС i коефiцiiнт змiни опору вiд прикладеноi напруги, високу стабiльнiсть, високу термостiйкiсть i точнiсть опору. Вся продукцiя, що випускаiться, проходить вiдповiднi перевiрки, як того вимагають iвропейськi i американськi вiйськовi стандарти. Напрями продукцii EBG мiстять достатньо широкий спектр метал-оксидних виробiв, що випускаються iз застосуванням фiрмового композиту METOX тАУ FILM. Компанiя пропонуi рiзнi типи резисторiв: плоскi, цилiндровi, резистивнi дiльники i складки резисторiв.
Потужнi резистори серii LXP 18 i LXP 20, в корпусi TО-220. Товстоплiвковi потужнi резистори для iмпульсних i високочастотних застосувань EBG пропонуi повнiстю герметизованi i iзольованi резистори в корпусi TО-220 з низьким опором i в безiндуктивному виконаннi для високочастотних i iмпульсних застосувань. РЖдеально пiдходять для застосування в джерелах живлення. Резистори рекомендуiться встановлювати на тепловiдвiд iз застосуванням теплопровiдноi пасти. LXP 18 LXP 20.
Особливостi: - Потужнiсть 18 Ватiв при температурi корпусу 25 В°C для LXP 18 i 20 Ватiв при температурi корпусу 25 В°C для LXP 20; - Корпус To-220; - Крiплення на тепловiдвiд LXP 18 здiйснюiться за допомогою всього одного гвинта, для LXP 20 потрiбна притискна скоба; - Повнiстю iзольований пластмасовий корпус для захисту вiд зовнiшнiх дiй. - Безiндуктивного виконання; - Корпус резистора повнiстю iзольований вiд тепловiдводу.
Технiчнi характеристики: - Дiапазон опорiв: вiд 0,05 Ом до 1мОм, iншi значення опорiв на вимогу замовника; - Точнiсть: ;1%, ;2%, ;5%, ;10% (0.5% на вимогу замовника).
Температурний коефiцiiнт: - вiд 1 Ом до 10 Ом: ;(100x10-6+0.002 Ом)/В°c при 25В°c ;R узято при +105В°C; - 10 Ом i бiльше: ;50x10-6/В°C при 25В°c ;R узято при +105В°C. - Максимальна робоча напруга: 350 В; - Електрична мiцнiсть дiелектрика: 1800 В змiнного струму; - Номiнальна потужнiсть залежить вiд температури корпусу (див. графiк зниження номiнальних значень); - Опiр iзоляцii: мiнiмум 10 Гом; - Миттiве перевантаження: у два рази що перевищуi номiнальну потужнiсть при напрузi, що не перевищуi в пiвтора рази максимальну тривалу робочу напругу протягом 5 секунд ; (0.3% + 0.001ом) макс; - Довговiчнiсть: вiдповiдно до Mil-r-39009, 2000 годин при номiнальнiй потужностi ; (1.0%+0.001 Ом); - Вологостiйкiсть: вiдповiдно до Mil-std-202, методика 106 ;(0.5%+0.001 Ом) макс.; - Теплова дiя: вiдповiдно до Mil-std-202, методика 107, умова F ;(0.3%+0.001 Ом) макс.; - Мiцнiсть виводiв: вiдповiдно до Mil-std-202, методика 244, умова A (випробування методом вiдриву) 2.4 Н ;(0.2%+0.001 Ом) макс.; - Вiбрацiя, висока частота: вiдповiдно до Mil-std-202, методика 204, умова D ;(0.2%+0.001 Ом) макс.; - Матерiал виводiв: луджена мiдь; - Максимальний момент, що крутить (для LXP 18): при використаннi гвинта i компресiйноi шайби. Зниження номiнальних значень LXP 18: Зниження номiнальних значень (тепловий опiр): 0.144вт/В°к(6.94k/вт). Без тепловiдводу потужнiсть 2,25 Bт при температурi 25В°К. Зниження номiнальних значень при температурi вище 25В°c 0.018вт/В°k. LXP 20: Зниження номiнальних значень (тепловий опiр): 0.16вт/В°к(6.25k/вт). Без тепловiдводу потужнiсть 3Вт при температурi 25В°c. Потужнiсть резистора при використаннi тепловiдводу у виглядi кришки тАУ 5Вт. Зниження номiнальних значень при температурi вище 25В°c 0.018вт/В°k.
Компанiя Panasonic анонсувала випуск прецизiйних металплiвкових чiп- резисторiв з низьким значенням ТКС.
Загальний опис: Серiя Era6ar/6ap - це прецизiйнi резистори, призначенi для областей застосування, де потрiбнi висока точнiсть i низький ТКС. Серiя Era8a - це високонадiйнi чiп - резистори для автомобiльноi електронiки на потужнiсть 0,25ватт. Обидвi серii випускаються по ряду номiнальних опорiв E24.
Технiчнi характеристики:
-ВаВаВаВаВаВаВа Серiя Era6ar/6ap (чiп-розмiр 0805) висока точнiсть до 0,05% i низький ТКС до 10ppm/c;
-ВаВаВаВаВаВаВа Серiя Era8a (чiп-розмiр 1206) . потужнiсть 0,25ватт;
-ВаВаВаВаВаВаВа Висока термостабiльнiсть - змiна номiналу опору менш нiж на 0.1% при 155с ;
-ВаВаВаВаВаВаВа Висока вологостiйкiсть . змiна номiналу опору менш нiж на 0.1% при 85с i вiдноснiй вологостi 85%.
прецизiйний резистор напруга дротяний
Прецизiйнi резистори, як неодмiннi компоненти мостових схем, вимiрювальних систем, аналогових ланцюгiв, в значнiй мiрi визначають точнiсть процесiв вимiрювання i регулювання в цiлому. Прецизiйнi резистори MEGATRON , виготовленi рiзними технологiчними методами - дротянi, металоплiвковi, напиленi, багатошаровi, перекривають широкий дiапазон номiнальних значень опору (0,001 ом - 100 Гом), вiдрiзняються високою точнiстю, поставляються в рiзних конструктивних виконань, задовольняють вимогам практично всiх можливих застосувань. Прецизiйнi SMD-резистори технологiчно реалiзованi як дротянi - серiя MSI, металоплiвковi - серii Mmp/mmq, Mep/meo i багатошаровi - серii MMF, MNF, MHS, MCN (дифузiйнi, iмплантованi). Цi резистори працездатнi в дiапазонi температур -55В°С -155В°С, вiдповiдають вимогам стандартiв Mil-std-220, Mil-r-55432. Прецизiйнi резистори з радiальними i аксiальними виводами технологiчно виконанi як дротянi - серii ASTRO 9000/5000, ASTRO 2000, Ec/epc, металоплiвковi - серii MR, MFL, NC, багатошаровi, - серii MDA, MDR, мiнiмiзованi по iндуктивностi виводiв, задовольняють вимогам стандартiв Mil-r-93/39005, Mil-r-5182/9. Потужнi прецизiйнi резистори серii UT, MAL, MPL, MNP, MPI, MDS, MLW виконанi на основi дротяноi i металоплiвковоi технологiй, перекривають дiапазон значень потужностi до 2000 Вт, вiдповiдають вимогам стандартiв Mil-r-26/39007, Mil-r-18546/3909, Mil-std-202. Прецизiйнi складки резисторiв реалiзованi на основi метало оксидних плiвок на фользi, напилених плiвок, поставляються в корпусному i SMD- виконаннi, працездатнi в широкому температурному дiапазонi, вiдрiзняються стабiльнiстю. Отже, резистори i елементами РЕА i можуть застосовуватися як дискретнi компоненти або як складовi частини iнтегральних мiкросхем. Вони призначенi для перерозподiлу i регулювання електричноi енергii мiж елементами схеми. Принцип дii резисторiв заснований на використаннi властивостi матерiалiв чинити опiр електричному струму, що протiкаi через них. Особливiстю резисторiв i те, що електрична енергiя в них перетворюiться на тепло, яке розсiваiться в навколишнi середовище. За призначенням дискретнi резистори дiляться на резистори загального призначення, прецизiйнi, високочастотнi, високовольтнi i високоомнi. Найбiльш високоточними i надiйними i прецизiйнi резистори, за що вони i отримали свою назву(префiкс преци- означаi точний). Вони використовуються в iнтегральних схемах i апаратурi, яка призначена для виконання найбiльш точних, надiйних i стабiльних задач. Це комптАЩютерна, медична, вiйськова, авiацiйна та космiчна технiка, системи керування, програмованi логiчнi iнтегральнi схеми та логiчнi елементи тощо. У порiвняннi зi звичайними резисторами прецизiйнi потребують бiльших як матерiальних, так i технологiчно-iнтелектуальних затрат на iх виготовлення, що не може не позначитись на цiнi цих виробiв. Тому доцiльним i використання прецизiйних резисторiв лише в апаратурi, призначення якоi дiйсно потребуi таких затрат. У висновку слiд зазначити, що усi переваги i недолiки застосування прецизiйних резисторiв. До переваг належать зазначенi вище висока точнiсть номiналу, надiйнiсть, малий ТКР, малi показники збiльшення опору при старiннi резисторiв. До недолiкiв цiна та затрати на виробництво.
Вместе с этим смотрят:
GPS-навигация
IP-телефония. Особенности цифровой офисной связи
РЖсторiя звтАЩязку та його розвиток
Автоматика, телемеханика и связь
Анализ режимов автоматического управления